SIMS分析有时根据入射离子束中离子的通量(每平方厘米样品中撞击的离子数量)来区分 “静态”和“动态”。与静态SIMS相比,动态SIMS 使用的主离子通量要高得多,因此样品的穿透力更强(纳米到微米)。这也为分析低浓度离子(如掺杂剂和低丰度同位素)提供了更高的灵敏度。 静态SIMS中入射离子通量较低,从而降低了分析深度,...
飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS),也叫静态二次离子质谱,是飞行时间和二次离子质谱结合的一种新的表面分析技术。TOF-SIMS具有高分辨、高灵敏度、精确质量测定等性能,是目前高技术领域广泛使用的分析技术。 此外,TOF-SIMS是非常灵敏的表面分析手段。其凭借质谱分析、二维成像分析、深度元素分析等功能,广泛应用于医学、...
飞行时间二次离子质谱技术(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,TOF-SIMS)是一种非常灵敏的表面分析技术,通过用一次离子激发样品表面,打出极其微量的二次离子,根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量,具有极高分辨率的测量技术。可以广泛应用于物理,化学,微电子,生物,制药,空间...
例如利用TOF-SIMS对长期流通过的人民币表面上的指纹进行化学成像分析,利用TOF-SIMS的技术优势,显现传统方法无法显现的潜在指纹;利用其空间分辨率高的优势，获取指纹中三级特征:利用其对物质分子结构，特别是有机分子的鉴定能力,检测指纹中的外源性物质,为此类疑难样品表面的指纹分析提供新的解决思路。二、生物科学骨骼肌...
TOF-SIMS是一种非常灵敏的表面分析技术,具有极高分辨率,可以提供表面,薄膜,界面以至于三维样品的元素、分子等结构信息,其特点在二次离子来自表面单个原子层分子层(1nm以内),仅带出表面的化学信息,具有分析区域小、分析深度浅和不破坏样品的...
TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱，在选用不同类型的离子源、可接受样品的尺寸、样品处理和预处理以至与其它超高真空技术结合等方面都有高度的灵活性，测试的样品不受导电性的限制，绝缘的样品也可以测试，但当样品尺寸过大需切割取样。取样的时候避免皮肤接触测试区域，以免引入外来污染影响到异物分析的结果。目前TOF-SIMS...
一、Tof-sims基本原理 使用一次脉冲离子(可以是Ga+, Au+,Bi+,C60等)轰击固体材料表面,通过表面激发出的二次离子(有原子离子和分子离子等)的飞行时间测量其质量,以表征材料表面的元素成分、分子结构、分子键接等信息。 简单讲就是赛跑的观念:给所有激发出的离子相同的动能(3keV)去加速,其遵循以下能量守恒公式:不...
TOF-SIMS概述 飞行时间二次离子质谱仪(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry ,简称TOF-SIMS)是通过用一次离子激发样品表面,打出极其微量的二次离子,根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。
TOF-SIMS杂环化合物有机结构分析飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)分析了难挥发的杂环新化合物咪唑啉硫氰酸盐及其三种衍生物,确认出很强的氢离化及银离化准分子离子峰,通过对各种衍生物谱图的对照分析,确认出较强的含有结构特征的碎片离子峰,并对该化合物在离子轰击下的裂解规律作了分析,支持了对该新化合物结构...
飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS），简称静态二次离子质谱，是一种融合了质谱分析和高精度表面成像的现代分析技术。TOF-SIMS以其高分辨率、高灵敏度和精确的质量测定性能，在众多高科技领域中广泛应用，如医学、细胞学、地质矿物学、微电子、材料化学等。技术发展起源于20世纪70年代，德国明斯特大学物理系的...