Flash,全名叫做Flash EEPROM Memory,即平时所说的“闪存”,它结合了ROM和RAM的长处,不仅可以反复擦除,还可以快速读取数据,STM32运行的程序其实就是存放在Flash当中,但是由于STM32的Flash一般1M左右,只能存储程序大小的数据,所以往往需要外扩Flash来存储数据,比如LCD界面当中的汉字字库,以及文件系统中读取的文件内容。
voidSTMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16*pBuffer,u16 NumToWrite){u32 secpos;//扇区地址u16 secoff;//扇区内偏移地址(16位字计算)u16 secremain;//扇区内剩余地址(16位字计算)u16 i;u32 offaddr;//去掉0X08000000后的地址if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FL...
View->memory windows->memory 1打开内存观察窗口，并在地址栏中输入：0x800c000,观察将要修改的flash...
FLASH_Lock();// 上锁写保护}//从指定地址开始写入多个数据(32位)voidFLASH_WriteWordData(uint32_tstartAddress,uint32_t*writeData,uint16_tcountToWrite){uint32_toffsetAddress = startAddress - FLASH_BASE_ADDR;// 计算去掉0X08000000后的实际偏移地址uint32_tsectorPosition = offsetAddress / SECTOR_SIZE...
选择字节寄存器(FLASH_OBR) 写保护寄存器(FLASH_WRPR) STM32 复位后,FPEC 模块是被保护的,不能写入 FLASH_CR 寄存器;通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块,只有在写保护被解除后,我们才能操作相关寄存器。 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位(不能单纯的写入 8 位数据哦!),当 FLASH...
FLASH,指Flash Memory,是一种非易失性存储器(闪存),掉电能正常保存数据。今天是第 5篇分享,《STM32学习笔记》之片内FLASH读写失败问题分析。 往期分享:AI电堂:STM32学习笔记— 电源管理及低功耗设计要点AI…
flash的成型以块(block)和扇区(sector)存在 STM32的flash在写的时候不能读,读的时候不能写,也就是说stm32在操作flash的时候程序必然是中止的,所以既不能响应中断,也不能有运行程序 During a write operation to the Flash memory, any attempt to read the Flash memory willstall the bus. The read operatio...
_SECTOR_7_BANK2 ((uint32_t)0x081E0000) /* Base @ of Sector 7, 128 Kbytes */ uint32_t GetSector(uint32_t flash_address); void Flash_Read(void* dst, uint32_t src, uint32_t len); void Flash_Write(void* src, uint32_t dst, uint32_t len); #endif //STM32H743IIT6_FLASH_...
快闪存储器(flash memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。它是一种非易失性存储器,即断电数据也不会丢失。
1、如下,在flash.c里定义了变量从哪里开始存。但是flash.h里又定义了一个大小,因此最终为.C里的基地址+上.h里定义的起始地址。 2、我们接上设备后打开Debug调试模式,如果我们之前已经向该地址存过变量的值,如下,图片二在Memory下输入0x800F100,此时我们就看到了我们存在ROM下的变量的值,低位在前。