Address = ((uint32_t)ADDR_FLASH_PAGE_500);status = FLASH_If_Write(Address, (uint32_t*) ...
STM32的flash在写的时候不能读,读的时候不能写,也就是说stm32在操作flash的时候程序必然是中止的,所以既不能响应中断,也不能有运行程序 During a write operation to the Flash memory, any attempt to read the Flash memory willstall the bus. The read operation will proceed correctly once the write op...
(2) 再往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB 数据操作位数 最大操作位数会影响擦除和写入的速度,其中 64 位宽度的操作除了配置寄存器位外,还需要在 Vpp 引脚外加一个电压源,且其供电间不得超过一小时,否则 FLASH可能损坏,所以 64 位宽度的操作一般是在量产时对 FLASH 写入应用程序时...
if ( HAL_FLASH_Program( FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, targetAddress, writeData ) != HAL_OK ) { } targetAddress += 2; } HAL_FLASH_Lock(); return(targetAddress); } u32 writeU16ToFlash( u16* pSourceData, u32 targetAddress, u32 len ) { HAL_FLASH_Unlock(); u32 writeData; for ( ...
一开始接触到bootloader是rt-thread的ART-Pi,例程用的就是bootloader+application的方式开发。我自己这个板子是weact studio的stm32h750vbt6,板载一颗w25q64jv型号的flash,由于h750的片上flash只有128kB,所以我也有了使用bootloader和application的想法。中间歧路没少走,如今成功了,也写一篇文章给大家避避坑。
STM32将资源烧写⾄外部flash⽅式⼤致分为通过IDE与应⽤程序⼀起和通过CubeProgranmmer单独烧写两种：⽅式⼀、使⽤IDE加载烧写算法，烧录应⽤程序时⼀并写⼊，具体就是修改分散加载链接脚本将部分常量数据移⾄外部flash，烧写算法制作⼯程如下 主要实现两个⽂件，接⼝实现⽂件 <FLashPrg.c>...
我们把程序自己写入片上flash,还需要一些函数 stmflash_config.c 主要就是在iap里面用了void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) 下一步计划:从SD卡更新 通过SD卡更新app搞定,写了一个新函数在iap.c当中 update_app 思路很简单,从SD文件系统读出文件,每次4k,写入片内flash...
这个Flash读写实验我们用到的芯片是W25Q128,这是一款采用SPI协议进行读写的Flash芯片,存储容量为128Mbit,合计16Mbyte,工作电压2.7V~3.6V。这个实验我们采用STM32内置的SPI模块来进行对芯片的读写操作,STM32F1的SPI功能很强大,SPI时钟最高可以到18MHz,支持DMA,可以配置为SPI协议或者I2S协议。
void Flash_ErasePage(unsigned int addr){FLASH_Unlock(); //解锁FLASH->CR |= 1FLASH->AR = addr; //Write into FAR an address within the page to erase FLASH->CR |=1while(FLASH->SR&0x01); //FLASH_SR_BSY= 1 ? FLASH->CR &= ~(1FLASH_Lock();//加锁} ...
NumToWrite:半字(16位)数 void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead) { u16 i; for(i=0;i 当我们想读取FLASH内容时,只需要直接调用上面的函数即可。 STMFLASH_Read(FLASH_ADDR,Temporary_storage,size); 这里FLASH_ADDR是我们要读取的起始地址,Temporary_storage是 ...