(54)发明名称SOI-LDMOS器件及其制作方法(57)摘要本申请提供了一种SOI‑LDMOS器件及其制作方法,该器件包括SOI衬底、有源区、至少一个第一导通结构以及第二导通结构,其中,SOI衬底包括依次设置的衬底、富陷阱层、埋层氧化层、顶硅层以及栅氧化层;有源区位于顶硅层中,有源区包括体区、体接触区以及源区,体接触区与...
射频SOI-LDMOS器件的研究,不仅可以推动智能通信等领域的发展,也为新型射频器件的研究提供了借鉴和参考。因此,本文选取射频SOI-LDMOS器件为研究对象,旨在探索其设计和优化方法,提高其性能和实现量产化。 二、研究内容 本研究计划完成以下内容: 1. SOI-LDMOS器件的工作原理和特点分析 2. SOI-LDMOS器件的构成和设计原理...
LDMOS梯形沟槽P/N柱击穿电压导通电阻随着时代的变迁,高压功率集成电路得到飞速的发展,应用愈加广泛.LDMOS(LateralDouble-diffusedMOS,LDMOS)作为功率集成电路中的关键器件之一,因其具有高输入阻抗,高转换速率和易集成的特点将会在半导体器件领域占据更为重要的地位.导通电阻和击穿电压是LDMOS衡量器件性能的两个关键参数.然而...
然而,基于硅材料高功率器件本身具有较大的功率损耗,这些功率损失将导致器件的自热效应,即器件本身产生的热量,这将影响晶片的热稳定性,导致器件的性能降低,甚至烧毁晶片,因此研究SOI-LDMOS器件的自热效应研究具有重要的意义。 二、研究目标和内容 本研究旨在深入研究SOI-LDMOS器件自热效应,探索器件的稳定性和可靠性,...
SOI-LDMOS器件结构设计.pdf,摘要 摘要 射频(RF)电路的应用越来越多,以横向双扩散金属一氧化物场效应晶体管 (LDMOs)技术为基础的功率晶体管作为RF电路的重要组成部分,在整个RF 电路中起着重要的作用。体硅技术的LDMOS具有随着漏电压变化而且较高的输 出电容,这会降低功率
本论文将以600V单芯片IPM为研究对象,应用超薄膜SOI-LDMOS技术,进行以下研究: 1.设计和制造超薄膜SOI-LDMOS晶体管。 2.在600V单芯片IPM中应用超薄膜SOI-LDMOS晶体管,并进行杂交集成设计。 3.进行电性能测试,对输出电压、输出电流、开关速度、截止频率等进行测试和分析。 4.对超薄膜SOI-LDMOS在IPM中的应用进行优化...
高压SOlLDMOS器件结构设计与模拟研究 .. 于葡斐 SOlLDMOS器件是基于LDMOS器件的一种新型功率半导体器件。SOI结构具有 高速,低功耗,高集成度,抗辐照,易于隔离等优点,并且可以克服体硅材料的缺点, 被广泛的应用在高压集成电路和功率集成电路中。高压集成电路在武器装备,电力电子, ...
摘要摘要射频( RF )电路的应用越来越多, 以横向双扩散金属一氧化物场效应晶体管( LDMOs)技术为基础的功率晶体管作为R F 电路的重要组成部分, 在整个R F电路中起着重要的作用。 体硅技术的L DMOS 具有随着漏电压变化而且较高的输出电容, 这会降低功率效率和增益, 尤其会使输出匹配的设计更困难。 绝缘体上硅...
1.一种具有电子积累效应的SOI-LDMOS器件,其特征在于,包括:LDMOS结构、PNP结构、氧化隔离层(6)、金属铝(9)和衬底(12); 所述LDMOS结构位于氧化隔离层(6)前方,从左至右依次是源极P+区(1)、源极N+区(2)、P-body(3)、漂移区(7)、漏极N+区(8); 所述PNP结构位于氧化隔离层(6)后方,从左至右依次是栅极...