高压SOI LDMOS器件结构的研究一引言随着集成电路技术的发展和半导体工艺的持续进步,高压功率器件在各种电力电子系统中的应用日益广泛。在众多高压功率器件中,高压SOI LDMOS硅基绝缘体上大功率金属氧化物半导体器件以其优异的性能和低功耗
高压SO1LDMOS设计新技术 — — 电场调制及电荷对局域场的屏蔽效应在高压SOILDMOS设计中的应用 段宝兴,张 波,李肇基 (电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054) 摘 要: 针对SOI基LDMOS结构的特殊性,结合高压器件中击穿电压和比导通电阻的矛盾关
图13为两种典型的功率SOI器件截面图,图 13(a)为高压 LDMOS 产品,图 13(b)为超高压 LDMOS 产品,它们都分别做到不同的隔离岛上,横向、纵向都与其他元器件用介质隔离。 5 SOI 技术的主要问题与挑战 虽然SOI 技术比传统的体硅技术具有隔离效果好、寄生效应小、泄漏电流低、集成密度高等优点,但还有很多不足,限制...
随着时代的变迁,高压功率集成电路得到飞速的发展,应用愈加广泛.LDMOS(LateralDouble-diffusedMOS,LDMOS)作为功率集成电路中的关键器件之一,因其具有高输入阻抗,高转换速率和易集成的特点将会在半导体器件领域占据更为重要的地位.导通电阻和击穿电压是LDMOS衡量器件性能的两个关键参数.然而,导通电阻的降低往往是以牺牲耐压...
VLW 器件的制作工艺无需多余的掩膜版,只要在用介质隔离技术形成硅岛的同时形成侧壁氧化层,然后再进行与常规器件同样的 LDMOS 工艺,就能轻易得到具有变漂移区宽度结构的 SOI 器件。因此,变漂移区宽度器件的工艺相当简单。 3.耐压特性 3.1 电场分布 图3给出了相同结构参数下常规RESURF结构和变漂移区宽度结构在击穿时...
而超薄膜SOI-LDMOS技术可以有效减少器件的规模和数量,从而降低成本、减小尺寸、提高性能和可测试性。因此,研究应用超薄膜SOI-LDMOS的600V单芯片IPM具有以下意义: 1.提高功率集成电路的集成度和性能,减小重复性、故障率,从而提高可靠性和可测试性。 2.降低制造成本,尤其是大面积芯片的制造成本。 3.提高能效,减少电能...
过去,行波管(TWT)实现了高功率,今天仍然是一些应用的选择。硅LDMOS FET出现后,提供了数百、上千瓦的功率水平。但是,这些器件不能在6 GHz以上的频率使用。这个高功率的微波和毫米波段需求带动了过去新型GaN晶体管的发展,只用了几年时间就可以在30 GHz或更高的频率上轻松提供数十到数百,甚至数千瓦的功率。
本研究采用理论分析、仿真模拟和实验验证相结合的方法,综合研究射频SOI-LDMOS器件的设计和优化方法。 2.技术路线 (1)理论分析 首先对射频SOI-LDMOS器件的工作原理和特点进行分析,探讨其构成和设计原理。同时,还将通过文献调研等方式,归纳总结该类器件的应用现状、研究进展和存在问题。 (2)仿真模拟 在理论分析的基础上...
SOI-LDMOS器件结构设计.pdf,摘要 摘要 射频(RF)电路的应用越来越多,以横向双扩散金属一氧化物场效应晶体管 (LDMOs)技术为基础的功率晶体管作为RF电路的重要组成部分,在整个RF 电路中起着重要的作用。体硅技术的LDMOS具有随着漏电压变化而且较高的输 出电容,这会降低功率