SOI-LDMOS器件结构设计.pdf,摘要 摘要 射频(RF)电路的应用越来越多,以横向双扩散金属一氧化物场效应晶体管 (LDMOs)技术为基础的功率晶体管作为RF电路的重要组成部分,在整个RF 电路中起着重要的作用。体硅技术的LDMOS具有随着漏电压变化而且较高的输 出电容,这会降低功率
GaN制造工艺在不断进步,以降低成本,目前,GaAs继续占主导地位,主要用于具有小信号MMIC,LNA以及低电平的手机和移动无线电的功率放大器。但是,随着GaN成本的降低,以及GaN对小信号应用领域的渗透,砷化镓很可能会失去不少市场,其他用硅(LDMOS),SiGe,SiC将继续找到其独特的利基适合应用。 总结 自20世纪60年代以来,半导体行...
2.现有的ldmos器件,漂移区存在很大的pn结电容,过大的电容限制了ldmos的效率,基于soi衬底的ldmos器件能够降低漂移区的结电容,提高器件的效率,但是soi衬底的绝缘氧化层热导率只有硅的百分之一,因此,基于soi衬底的ldmos器件的散热能力受到了绝缘氧化层的限制。 3.同时,现有的ldmos器件,漏极一般从衬底正面引出,其限制了...
基于SILVACOTCAD的高压SOILDMOS器件设计[摘要]SOILDMOS器件是基于LDMOS器件的一种新型功率半导体。SOI结构具有工艺简单、寄生电容小、抗辐照能力强、..
为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷, 提出了一种漂移区槽氧SOI-LDMOS高压器件新结构. 利用漂移区槽氧和栅、漏场板优化横向电场提高了横向耐压和漂移区的渗杂浓度. 借助二维仿真软件对该器件的耐压和比导通电阻特性进行了研究, 结果表明该器件与常规SOI-LDMOS结构相比在相同漂移区长度下耐压提高了31%,...
针对SOI基LDMOS结构的特殊性,结合高压器件中击穿电压和比导通电阻的矛盾关 系,以作者设计的几种新型横向高压器件为例,说明了利用电场调制和电荷对局域场的屏蔽效应来 优化设计新型SOILDMOS的新技术;同时,指出了这种新技术较传统设计方法的优缺点。 关键词: ...
同时,由于 SOI 技术具有比体硅元器件更低的泄漏电流,使其可以在更高电压、更高的温度下进行工作。图13为两种典型的功率SOI器件截面图,图 13(a)为高压 LDMOS 产品,图 13(b)为超高压 LDMOS 产品,它们都分别做到不同的隔离岛上,横向、纵向都与其他元器件用介质隔离。
详细介绍了ＳＯＩ在半导体技术领域中的应用，以及近年来为满足ＳＯＩ的特殊应用要求研发的多种ＳＯＩ新材料及其制备技术；综述了绝缘体上应变硅（ｓＳＯＩ），绝缘体上锗（ＧＯＩ）等ＳＯＩ技术的现状和发展动向；最后，对ＳＯＩ技术的发展前景进行了展望。关键词：高端硅基材料；绝缘体上硅；绝缘体上应变硅；...
Modeling of LDMOS and LIGBT structures at high temperatures. IEEE ISPSD’1994: 137-142 [19]F Udrea, W Milne and A Popescu. Lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) structure based on partial isolation SOI technology. Electronics Letters, 33(5): 907-909, 1997 [20]E M S Narayanan ...