SOI-LDMOS器件结构设计.pdf,摘要 摘要 射频(RF)电路的应用越来越多,以横向双扩散金属一氧化物场效应晶体管 (LDMOs)技术为基础的功率晶体管作为RF电路的重要组成部分,在整个RF 电路中起着重要的作用。体硅技术的LDMOS具有随着漏电压变化而且较高的输 出电容,这会降低功率
内容提示: 摘要摘要射频( RF )电路的应用越来越多, 以横向双扩散金属一氧化物场效应晶体管( LDMOs)技术为基础的功率晶体管作为R F 电路的重要组成部分, 在整个R F电路中起着重要的作用。 体硅技术的L DMOS 具有随着漏电压变化而且较高的输出电容, 这会降低功率效率和增益, 尤其会使输出匹配的设计更困难。
新型SOI-LDMOS结构设计与研究 热度: 基于silvaco tcad的高压soi ldmos器件设计 热度: 摘要 摘要 射频(RF)电路的应用越来越多,以横向双扩散金属一氧化物场效应晶体管 (LDMOs)技术为基础的功率晶体管作为RF电路的重要组成部分,在整个RF 电路中起着重要的作用。体硅技术的LDMOS具有随着漏电压变化而且较高的输 ...
本发明提供一种多栅SOI-LDMOS器件结构,包括:SOI衬底,包括硅衬底,埋氧层及顶硅层;有源区,形成于所述顶硅层中,包括依次相连的源区,沟道区,漂移区,浅掺杂漏区,及漏区;多晶硅栅,包括结合于所述沟道区表面的栅氧层及多晶硅层,所述多晶硅栅被至少一个介质层隔成至少两个短栅结构,且对应所述介质层下方的沟道区...
在bulk-MOS(平面结构MOS)中,通道是水平的。在FinFET通道中,它是垂直的。所以对于FinFET,通道的高度(Fin)决定了器件的宽度。通道的完美宽度由等式4给出。 通道宽度= 2 X翅片高度+翅片宽度(公式-4) FinFET技术提供了超过体CMOS的许多优点,例如给定晶体管占空比的更高的驱动电流,更高的速度,更低的泄漏,更低的...
在bulk-MOS(平面结构MOS)中,通道是水平的。在FinFET通道中,它是垂直的。所以对于FinFET,通道的高度(Fin)决定了器件的宽度。通道的完美宽度由等式4给出。 通道宽度= 2 X翅片高度+翅片宽度(公式-4) FinFET技术提供了超过体CMOS的许多优点,例如给定晶体管占空比的更高的驱动电流,更高的速度,更低的泄漏,更低的...
在这里,我们首先讨论CMOS的核心单元,即MOSFET或简单MOS的基本结构和重要的术语。 MOS结构 根据通道类型,MOS主要分为两种结构:n沟道和p沟道MOS。在这里,我们将仅概述NMOS晶体管。 MOS晶体管是具有漏极、源极、栅极和衬底的4端子器件。图1显示了NMOS的3维结构。NM...
1.一种SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法,其特征在于,包括 以下步骤(A)采用SOI衬底,利用版图对其顶层硅进行离子注入,形成交替排列的N型柱区和P 型柱区,作为漂移区的横向超结结构;(B)利用多次离子注入方式对所述顶层硅中除漂移区以外的部分掺杂,形成P阱体区;(C)在P阱体区上靠近漂移区的一端...
(54)发明名称SOI-LDMOS器件及其制作方法(57)摘要本申请提供了一种SOI‑LDMOS器件及其制作方法,该器件包括SOI衬底、有源区、至少一个第一导通结构以及第二导通结构,其中,SOI衬底包括依次设置的衬底、富陷阱层、埋层氧化层、顶硅层以及栅氧化层;有源区位于顶硅层中,有源区包括体区、体接触区以及源区,体接触区与...
图3给出了 BFP-LDM0S和C-LDMOS两种结构击穿特性的比较。由于漏端N+/N结的曲率效应,击穿通常发生在漏端N+区域的拐角处。从图中可得,传统SOI LDMOS器件的击穿电压为128V,BFP-LDM0S器件的击穿电压为182V,提升了 42.2 %。漏埋氧场板的引入使得器件的击穿电压不再受纵向耐压的限制,纵向上的耐压由漏埋氧场板...