【关键词】MEDICI仿真;新型高压SOI P-LDMOS器件;参数优化 1.引言 本文选取的仿真实例为一个新型的高压低阻SOI P-LDMOS器件,其结构如图1所示。与常规的SOI P-LDMOS器件不同,该器件的漂移区由低掺杂的N型区域与一条贯穿其中的P型埋层组成。得益于这样的独特设计,该器件克服了常规SOI P-LDMOS器件衬底无法辅助耗尽...
新型SOI+LDMOS器件仿真研究及其模型建立 下载积分: 2000 内容提示: 分类号: 密级: 1 U D C: 编号: 1 工学硕士学位论文 新型 SOI LDMOS器件仿真研究及其模型建立 硕士研究生 :孟雄飞 指导教师 :王 颖 教 授学科、专业 :信息与通信工程 论文主审人 :刘云涛 副教授 哈尔滨工程大学 2016 年 3 月 万方数据 ...
超薄屏蔽层线性电流加固绝缘体上硅本文研究了300 V绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管在电离辐射总剂量效应下的线性电流退化机理,提出了一种具有超薄屏蔽层的抗辐射结构实现线性电流加固.超薄屏蔽层位于器件场氧化层的下方,旨在阻止P型掺杂层表面发生反型,从而截断表面电流路径,有效抑制线性电流的退化.对于...
(1)研究了具有浮栅结构的S01LDMOS器件,该器件的结构特点是在器件的场 氧化层上分布多个多晶硅栅极,多次利用类场板的结终端技术,调节器件的横向电场分 布,提高器件的击穿电压,降低比导通电阻。通过仿真软件SilvacoTCAD的仿真结果 表明,在相同的器件尺寸的条件下,通过对浮栅的个数和尺寸优化,得到当浮栅的个数 ...
本文采用IsE二维器件仿真软件对sOI.LDM0s器件进行电学性能仿真,并 与普通LDMOS结构进行比较,SOI.LDMOS结构呈现出良好的性能:良好的输 出特性,较小的寄生电容等。针对SoI.LDMOS射频应用中严重的自热效应和浮 体效应,采用图形化sOI.LDMOs结构,该结构保留了SOI.LDMos优势的同时 ...
SOI-LDMOS器件结构设计.pdf,摘要 摘要 射频(RF)电路的应用越来越多,以横向双扩散金属一氧化物场效应晶体管 (LDMOs)技术为基础的功率晶体管作为RF电路的重要组成部分,在整个RF 电路中起着重要的作用。体硅技术的LDMOS具有随着漏电压变化而且较高的输 出电容,这会降低功率
3.根据权利要求1所述SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法, 其特征在于步骤(D)进行浅掺杂N型离子注入的注入能量和注入剂量以浅掺杂N型缓冲 层用于补偿衬底辅助耗尽效应带来的多余电荷的实际需要为准,通过对器件进行仿真来确 定。 4.根据权利要求1或3所述SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制...
本文基于SOI高压集成技术设计了电源电压为8～-100V的电平位移电路,并对电路中的核心LDMOS器件进行了设计和模拟仿真优化。 1 电路结构 传统正电源应用的电平位移电路结构如图1(a)所示。L1、L2、L3是由逻辑电路部分产生的低压时序控制信号,N1、N2、N3为高压nLDMOS器件,P1、P2、P3为高压平pLDMOS器件。由P1,P2和N1、...
图 1 简单的 SOI LDMOS 设计结构 在工艺仿真软件 Sentaurus 中建立 SOI RESURF 结构图,并进行模拟分析。通过模拟结 果得知:直接采用线性掺杂漂移区的设计结构并不能使硅表面电场强度分布均匀,如图 2(a)所示,该结构会在栅附近首先发生击穿;如果在漂移区上方增加一个金属场板,如图 2(b)所示,则可以降低表面电场并...
VLW 器件的制作工艺无需多余的掩膜版,只要在用介质隔离技术形成硅岛的同时形成侧壁氧化层,然后再进行与常规器件同样的 LDMOS 工艺,就能轻易得到具有变漂移区宽度结构的 SOI 器件。因此,变漂移区宽度器件的工艺相当简单。 3.耐压特性 3.1 电场分布 图3给出了相同结构参数下常规RESURF结构和变漂移区宽度结构在击穿时...