本发明提供一种具有部分埋层的SJLDMOS器件,第一导电类型半导体轻掺杂外延层中具有y方向交替排列的第二导电类型半导体柱和第一导电类型半导体柱;第二导电类型半导体体区横贯于第二导电类型半导体柱和第一导电类型半导体柱之中,第二导电类型半导体衬底一侧顶部具有第一导电类型埋层,第一导电类型半导体漏区在贯穿第二导电...
具有部分n+浮空埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构 朱辉,李琦,黄远豪 (桂林电子科技大学广西信息科学实验中心,广西桂林541004) 摘要:为了抑制衬底辅助耗尽(SAD)效应并提高超结器件击穿电压,提出一种具有部分n+浮空层SJ-LDMOS新结构。n+浮空等位埋层能够调制器件横向电场,使得partialn+-floatingSJ-LDMOS比传统SJ-LDMOS具有更加...
针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象,实现了高的击穿电压,而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道,减小了器件导通电阻.分析了器件结构参数和参杂对...
摘要:提出一种具有非均匀交叉分布P柱区(NCDP)的新型超结(SJ)LDMOS,NCDPSJ由一排嵌入在N漂移区 的P柱区组成。该超结结构通过减少P区电荷来确保漂移区电荷平衡并且抑制了衬底辅助耗尽(SAD)效应,使得漂 移区有均匀电场,器件获得一个高的击穿电压(B 。另外,由于交叉分布的P柱区被N型区域包围着,目前工艺技 ...
主要包括三种器件结构:具有阶梯SJ结构的Step-SJ LDMOS(SSJ LDMOS)、边氧结构的类SJ LDMOS(OB LDMOS)和集成肖特基接触的SJ LDMOS。具体的研究内容如下: (1)研究了具有阶梯SJ结构的SJ LDMOS器件,结构特点是将传统超结器件的SJ结构漂移区分成PN柱浓度差互补的两部分,该结构对于SJ结构PN柱间出现浓度偏差时引起的耐压...
一种高压SJ—nLDMOS的准饱和特性研究
A novel silicon-on-insulator(SOI) super-junction(SJ) LDMOS with an ultra-strong charge accumulation effect is proposed. It has two key features: an assisted-accumulation trench-type extending gate(TEG) with a high-k(HK) dielectric and a step-dopedN pillar(TEG-SD SJ LDMOS). In the on-st...
Si基功率器件仿真交..Si基功率器件仿真交流指导( LDMOS SGT SJMOS LIGBT RCIGBT)+SiC(JBS,JFET,MOSFET)
摘要: 通过分析低压MOS中存在的漏电路径,针对高压LDMOS面积大,最小宽长比有限制的特点,提出了一种更加适用于高压LDMOS的新型抗总剂量辐照结构.器件仿真结果显示,新结构在实现500 krad(Si)的抗辐照能力,并且新结构不会增加面积消耗,与现有工艺完全兼容. 暂无资源 收藏 引用 分享 推荐文章 高压LDMOS总剂量辐射效应...
陈万军,张波,李肇基.具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构(英文)[J]. 半导体学报.2007(03)CHEN Wu-jun, ZHANG Bo, LI Zhao-ji. Realizing high breakdown voltage SJ-LDMOS on bulk silicon using a partial n-buried layer [ J ]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28 (3) : 355-360....