提出一种具有非均匀交叉分布P柱区(NCDP)的新型超结(SJ)LDMOS,NCDP SJ由一排嵌入在N漂移区的P柱区组成。该超结结构通过减少P区电荷来确保漂移区电荷平衡并且抑制了衬底辅助耗尽(SAD)效应,使得漂移区有均匀电场,器件获得一个高的击穿电压(BV)。另外,由于交叉分布的P柱区被N型区域包围着,目前工艺技术导致的电荷...
结构图。由该图可以看出,常规LDMOS的N-漂移区被相间的高掺杂浓度P型 和N型柱区所代替。关态时,电荷严格平衡的P型与N型柱区相互耗尽,产 生较高电场,因而承担高的击穿电压;开态时,高掺杂浓度的N型区提供了一 个低导通电阻的电流通道。但对于横向DMOS器件,由于P衬底和N柱区之 间的相互耗尽,打破了N柱区和P...
具有部分n+浮空埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构 朱辉,李琦,黄远豪 (桂林电子科技大学广西信息科学实验中心,广西桂林541004) 摘要:为了抑制衬底辅助耗尽(SAD)效应并提高超结器件击穿电压,提出一种具有部分n+浮空层SJ-LDMOS新结构。n+浮空等位埋层能够调制器件横向电场,使得partialn+-floatingSJ-LDMOS比传统SJ-LDMOS具有更加...
摘要:提出一种具有非均匀交叉分布P柱区(NCDP)的新型超结(SJ)LDMOS,NCDPSJ由一排嵌入在N漂移区 的P柱区组成。该超结结构通过减少P区电荷来确保漂移区电荷平衡并且抑制了衬底辅助耗尽(SAD)效应,使得漂 移区有均匀电场,器件获得一个高的击穿电压(B 。另外,由于交叉分布的P柱区被N型区域包围着,目前工艺技 ...
主要包括三种器件结构:具有阶梯SJ结构的Step-SJ LDMOS(SSJ LDMOS)、边氧结构的类SJ LDMOS(OB LDMOS)和集成肖特基接触的SJ LDMOS。具体的研究内容如下: (1)研究了具有阶梯SJ结构的SJ LDMOS器件,结构特点是将传统超结器件的SJ结构漂移区分成PN柱浓度差互补的两部分,该结构对于SJ结构PN柱间出现浓度偏差时引起的耐压...
针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象,实现了高的击穿电压,而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道,减小了器件导通电阻.分析了器件结构参数和参杂对...
衬底辅助耗尽效应机理 纵向超结结构同时兼具高耐压、低导通电阻特性，但当将超结思想引入横向DMOST 时，设计中首先面临的是消除衬底辅助耗尽效应(Substrate-Assisted-Depletion Effect)[4]。图1为基于硅基常规横向超结DMOS 器件的三维结构图。由该图可以看出，常规LDMOS 的N －漂移区被相间的高掺杂浓度P 型和N 型...
一种高压SJ—nLDMOS的准饱和特性研究
作者提出的T-SJ LDMOS器件新结构，经过流片实验实现了977V的高VB，且Ron,sp比“硅极限”低18.1％的优异性能。仿真结果还证实了所提出的器件可以达到超过1000 V的VB。本研究还建立了横向SJ器件“硅极限”理论，基于耐压归一化思想，获得横向SJ普适设计公式，该公式突破现有经典耐压比导的1.32次方关系，为该类器件...