如图1所示,一种具有部分埋层的sj-ldmos器件,包括:第二导电类型半导体衬底1、第二导电类型半导体衬底1上方的第一导电类型半导体轻掺杂外延层2,第一导电类型半导体轻掺杂外延层2中具有y方向交替排列的多个第二导电类型半导体柱4和第一导电类型半导体柱3;所述第二导电类型半导体柱4与第一导电类型半导体柱3满足电荷平衡,...
本发明提供一种具有部分埋层的SJLDMOS器件,第一导电类型半导体轻掺杂外延层中具有y方向交替排列的第二导电类型半导体柱和第一导电类型半导体柱;第二导电类型半导体体区横贯于第二导电类型半导体柱和第一导电类型半导体柱之中,第二导电类型半导体衬底一侧顶部具有第一导电类型埋层,第一导电类型半导体漏区在贯穿第二导电...
1.一种具有部分埋层的SJ-LDMOS器件,其特征在于包括:第二导电类型半导体衬底(1)、第二导电类型半导体衬底(1)上方的第一导电类型半导体轻掺杂外延层(2),第一导电类型半导体轻掺杂外延层(2)中具有y方向交替排列的多个第二导电类型半导体柱(4)和第一导电类型半导体柱(3);第二导电类型半导体体区(5)位于第一导电类型...
衬底辅助耗尽效应机理 纵向超结结构同时兼具高耐压、低导通电阻特性,但当将超结思想引入横向DMOST时,设计中首先面临的是消除衬底辅助耗尽效应(Substrate-Assisted-Depletion Effect)[4]。图1为基于硅基常规横向超结DMOS器件的三维结构图。由该图可以看出,常规LDMOS的N-漂移区被相间的高掺杂浓度P型和N型柱区所代替。
应用:用于LDMOS(横向扩散MOSFET),显著降低Ron。 三RESURF:进一步引入多个p/n层,逼近超结的电荷平衡设计,但工艺复杂难以量产。 历史意义:RESURF系列技术为超结提供了“多维耗尽”的理论基础,但尚未实现n/p条纹的精确电荷匹配。 1998年:三维RESURF与超结概念的正式命名 ...
摘要:提出一种具有非均匀交叉分布P柱区(NCDP)的新型超结(SJ)LDMOS,NCDPSJ由一排嵌入在N漂移区 的P柱区组成。该超结结构通过减少P区电荷来确保漂移区电荷平衡并且抑制了衬底辅助耗尽(SAD)效应,使得漂 移区有均匀电场,器件获得一个高的击穿电压(B 。另外,由于交叉分布的P柱区被N型区域包围着,目前工艺技 ...
结构图。由该图可以看出,常规LDMOS的N-漂移区被相间的高掺杂浓度P型 和N型柱区所代替。关态时,电荷严格平衡的P型与N型柱区相互耗尽,产 生较高电场,因而承担高的击穿电压;开态时,高掺杂浓度的N型区提供了一 个低导通电阻的电流通道。但对于横向DMOS器件,由于P衬底和N柱区之 间的相互耗尽,打破了N柱区和P...
主要包括三种器件结构:具有阶梯SJ结构的Step-SJ LDMOS(SSJ LDMOS)、边氧结构的类SJ LDMOS(OB LDMOS)和集成肖特基接触的SJ LDMOS。具体的研究内容如下: (1)研究了具有阶梯SJ结构的SJ LDMOS器件,结构特点是将传统超结器件的SJ结构漂移区分成PN柱浓度差互补的两部分,该结构对于SJ结构PN柱间出现浓度偏差时引起的耐压...
衬底辅助耗尽效应机理 纵向超结结构同时兼具高耐压、低导通电阻特性，但当将超结思想引入横向DMOST 时，设计中首先面临的是消除衬底辅助耗尽效应(Substrate-Assisted-Depletion Effect)[4]。图1为基于硅基常规横向超结DMOS 器件的三维结构图。由该图可以看出，常规LDMOS 的N －漂移区被相间的高掺杂浓度P 型和N 型...