提出一种具有非均匀交叉分布P柱区(NCDP)的新型超结(SJ)LDMOS,NCDP SJ由一排嵌入在N漂移区的P柱区组成。该超结结构通过减少P区电荷来确保漂移区电荷平衡并且抑制了衬底辅助耗尽(SAD)效应,使得漂移区有均匀电场,器件获得一个高的击穿电压(BV)。另外,由于交叉分布的P柱区被N型区域包围着,目前工艺技术导致的电荷...
1、本发明的目的是提供一种具有埋p层和变浓度漂移区的sj ldmos及制备方法,该sj ldmos在传统sj ldmos的结构上,通过变浓度的n-drift层和变长度的埋p层,使得越靠近源区的耗尽区越大,使得漏到源的电场分布更加均匀,优化了整体的体电场分布,提高器件bv。 2、一种具有埋p层和变浓度漂移区的sj ldmos,包括:多个埋...
如图1所示,一种具有部分埋层的sj-ldmos器件,包括:第二导电类型半导体衬底1、第二导电类型半导体衬底1上方的第一导电类型半导体轻掺杂外延层2,第一导电类型半导体轻掺杂外延层2中具有y方向交替排列的多个第二导电类型半导体柱4和第一导电类型半导体柱3;所述第二导电类型半导体柱4与第一导电类型半导体柱3满足电荷平衡,...
针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象,实现了高的击穿电压,而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道,减小了器件导通电阻.分析了器件结构参数和参杂对...
结构图。由该图可以看出,常规LDMOS的N-漂移区被相间的高掺杂浓度P型 和N型柱区所代替。关态时,电荷严格平衡的P型与N型柱区相互耗尽,产 生较高电场,因而承担高的击穿电压;开态时,高掺杂浓度的N型区提供了一 个低导通电阻的电流通道。但对于横向DMOS器件,由于P衬底和N柱区之 间的相互耗尽,打破了N柱区和P...
主要包括三种器件结构:具有阶梯SJ结构的Step-SJ LDMOS(SSJ LDMOS)、边氧结构的类SJ LDMOS(OB LDMOS)和集成肖特基接触的SJ LDMOS。具体的研究内容如下: (1)研究了具有阶梯SJ结构的SJ LDMOS器件,结构特点是将传统超结器件的SJ结构漂移区分成PN柱浓度差互补的两部分,该结构对于SJ结构PN柱间出现浓度偏差时引起的耐压...
256O 具有非均匀交叉分布P柱区的 新型高压SJLDMOS结构 朱辉 李海鸥 李琦 (信息与通信学院,桂林电子科技大学,桂林541004) (电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学,成都,610054) 2014—05—28收稿,2014—07—11收改稿 摘要:提出一种具有非均匀交叉分布P柱区(NCDP)的新型超结(SJ)LDMOS,NCDPSJ由一排嵌入...
MOSFET器件结合起来.本文以SOI SJ-LDMOS高压器件为研究对象,从常规SOI SJ-LDMOS结构出发,围绕电荷平衡效应,横向和纵向耐压理论,新器件结构等方面进行研究,提出一种电荷性SOI SJ-LDMOS高压器件新结构,并建立了相应的器件结构模型进行仿真实验.该结构耐压提高到178.2V,相对于常规SOI SJ-LDMOS器件的89.5V,击穿电压提高了...
功率半导体器件是电力电子技术的核心之一,在智能功率集成电路SPIC(Smart Power Integrated Circuit)等方面有着广泛的应用.其中,LDMOS(LateralDouble-diffused Metal-oxide Semiconductor)是应用广泛的功率半导体器件之一,如何平衡耐压和比导通电阻之间的矛盾关系一直是LDMOS研究的重点和难点.本文从LDMOS的基本理论出发,通过引入优...