一种LDMOS-SCR类叉指结构的高压ESD保护器件,可用于片上高压IC的ESD保护电路.主要由P型衬底,N型埋层,N阱,P阱,若干个P+注入区,若干个N+注入区,多晶硅双栅和若干场氧隔离区构成.该ESD保护器件可在高压ESD脉冲作用下,形成两条由LDMOS-SCR结构并联构成的ESD电流泄放路径.该电流泄放路径均以寄生的NPN管和P阱电阻...
1.一种LDMOS-SCR结构的ESD保护器件,其特征在于,包括:p衬底和设于所述P衬底上的第一NWD、P阱及第二NWD,其中, 所述第一NWD上从左至右依序设有第一场氧隔离区、第一N+注入区、第二场氧隔离区和第一P+注入区; 所述P阱与所述第一NWD相邻,所述P阱上设有第二P+注入区和第五场氧隔离区,所述P阱和所...
[0006]一种具有源端内嵌叉指匪OS的LDMOS-SCR器件,其包括LDMOS-SCR结构的ESD电流泄放路径和源端内嵌叉指NMOS的阻容耦合电流泄放路径,以提高器件的电流导通均匀性和开启速度,增强器件的ESD鲁棒性,提高维持电压,其特征在于:主要由P衬底、P外延、P阱、N阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+...
专利名称 LDMOS-SCR器件 申请号 201810480779X 申请日期 2018-05-18 公布/公告号 CN108630747A 公布/公告日期 2018-10-09 发明人 陈卓俊,曾云,彭伟,金湘亮,张云,吴志强 专利申请人 湖南大学 专利代理人 何世磊 专利代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 专利类型 发明专利 主分类号 H01L29/06(2006.0...
摘要 一种LDMOS-SCR类叉指结构的高压ESD保护器件,可用于片上高压IC的ESD保护电路。主要由P型衬底、N型埋层、N阱、P阱、若干个P+注入区、若干个N+注入区、多晶硅双栅和若干场氧隔离区构成。该ESD保护器件可在高压ESD脉冲作用下,形成两条由LDMOS-SCR结构并联构成的ESD电流泄放路径。该电流泄放路径均以寄生的NPN...
所述多叉指LDMOS-SCR静电防护器件的叉指名称从左到右依次是Mn1、Mn2、Mn3、Mn4、Mn5和Mn6,所述Mn1、所述Mn4和所述Mn5是触发指,所述Mn2、所述Mn3和所述Mn6是被触发指。 6.根据权利要求5所述的多叉指LDMOS-SCR静电防护器件,其特征在于, 所述Mn1与所述Mn2共用漏极,所述Mn3与所述Mn4共用漏极,所...
LDMOS-SCR结构的ESD保护器件 (57)摘要 一种LDMOS‑SCR结构的ESD保护器件,主要由衬底P‑SUB、第一NWD、第二NWD和P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三P+注入区、第一栅氧、第一多晶硅栅、第一场氧、第二栅氧、第二多晶硅栅、第二场氧、第一场氧隔离区、第二场氧...
主要研究内容及成果如下: 1,提出一种运用于中高压ESD防护领域的HCLDMOS-SCR新器件,该器件在传统LDMOS-SCR阳极端引入邻接的N+/P+有源区构建正反馈通路;HCLDMOS-SCR利用阱区电阻Rnw2控制寄生PNP晶体管发射结电压,在保持快速开启的同时降低了寄生PNP晶体管的放大能力;另—方面,邻接N+/P+有源区构成的等电势区阻碍...
摘要 一种用于高压ESD保护的LDMOS‑SCR器件,属于集成电路静电释放保护电路技术领域。本发明用于高压ESD保护的LDMOS‑SCR器件包括1个LDMOS‑SCR和(n‑1)个与阱电阻并联的VSCR堆叠单元,其中,LDMOS‑SCR的栅电容和堆叠单元中的阱电阻构成一个内嵌的RC通路,可以实现降低LDMOS‑SCR触发电压的目的,而器件的维持电压...
摘要 一种LDMOS‑SCR结构的ESD保护器件,主要由衬底P‑SUB、第一NWD、第二NWD和P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三P+注入区、第一栅氧、第一多晶硅栅、第一场氧、第二栅氧、第二多晶硅栅、第二场氧、第一场氧隔离区、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场...