偶极效应是指在HfO2与SiO2界面处由于电荷分布不均匀而产生的电场效应。这种电场效应导致了界面处电子结构的改变,进而影响了器件的性能。以下是HfO2与SiO2之间偶极效应的一些关键方面: 2.1.电荷分布。 在HfO2与SiO2界面处,由于材料的不同电负性,会出现电荷的分离现象。一般来说,氧化铪(HfO2)具有较高的电负性,而二氧化硅...
使用了一种交替沉积 HfO2和SiO2薄膜的技术路线,HfO2薄膜作为高折射率材料体现出张应力,SiO2薄膜作为低折射率材料体现出压应力。 结果表明,在稳定了很多实验条件的情况下,通过调整镀膜时的充氧量和镀膜材料的蒸发速率实现了应力的... 文档格式:PDF | 页数:5 | 浏览次数:82 | 上传日期:2015-11-24 09:22:20 |...
在AIP旗下期刊Journal of Applied Physics中,中科院宁波材料所团队提出一种极大改善SiO2/HfO2介质DBR导电特性的方法,并应用至GaN发光器件中。通过在750 nm厚、5.5对的SiO2/HfO2表面沉积Ag金属电极并进行电学击穿,导电通道在局域空间内形成,从而降低了DBR的纵向电阻。这一导电通道一旦形成后即能够稳定存在。导电AFM(C-AF...
HfO2/SiO2光学薄膜激光损伤阈值的测量 作者: 胡建平 作者单位: 成都精密光学工程研究中心,四川,成都,610041 刊名: 光电子·激光 英文刊名: JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER 年,卷(期): 2002,13(4) 被引用次数: 5次 参考文献(5条) 1.Draft International Standard ISO/DIS 11254,Optics and optical instrument...
KHfO2是一种高介电常数的材料,通常用于替代传统的SiO2栅介质。高介电常数(High-k)材料可以提高栅电容,从而在不增加栅极厚度的情况下提高器件的性能。HfO2是其中一种常见的高-k材料,而KHfO2可能是指经过某种处理或掺杂的HfO2。 SiO2是一种传统的栅介质材料,具有良好的绝缘性能和稳定性。然而,随着半导体技术的不断...
KHfO2是一种高介电常数的材料,通常用于替代传统的SiO2栅介质。高介电常数(High-k)材料可以提高栅电容,从而在不增加栅极厚度的情况下提高器件的性能。HfO2是其中一种常见的高-k材料,而KHfO2可能是指经过某种处理或掺杂的HfO2...
在AIP旗下期刊Journal of Applied Physics中,中科院宁波材料所团队提出一种极大改善SiO2/HfO2介质DBR导电特性的方法,并应用至GaN发光器件中。通过在750 nm厚、5.5对的SiO2/HfO2表面沉积Ag金属电极并进行电学击穿,导电通道在局域空间内形成,...
你可能没见过的材料:氧化铪掺氧化硅靶材(HfO2-SiO2)江西科泰 立即播放 打开App,流畅又高清100+个相关视频 更多248 -- 25:07 App 氧化铪铁电体中的极化切换与唤醒 135 -- 0:26 App 流动的SiO2/EG 液态胶体光子晶体 1828 7 46:57 App 硅和二氧化硅 356 -- 2:11 App 中科科仪SBC12离子溅射仪系列...
HfO2／SiO2薄膜的激光预处理作用研究
HfO2-SiO2混合膜力学性能第%= 卷第 * 期 c;H(%= ^;(*红外与激光工程 ?E3OCOKS CES @CLKO RE:/EKKO/E:#)!, 年 * 月 .KQ(#)!, 混合膜力学性能 !"# !"#$%&' !"#$( ) $$*+, %-./0 & '!( 1234 567489:4; <=>49:?@ABCDEF #)))*#G #( 12H4 IJKLMNOPQ...