论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料.研究表明,向HfO2中分别掺杂Al,Si,Ta,N等形成的复合Hf基高K栅介... 余涛,吴雪梅,诸葛兰剑,... - 《材料导报》 被引量: 20发表: 2010年 先进的Hf基高k栅介质研究进展 随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,Si...
求问哪里可以查到SiO2 和HfO2中O2的扩散系数，谢谢 发自小木虫IOS客户端
求问哪里可以查到SiO2 和HfO2中O2的扩散系数，谢谢 发自小木虫IOS客户端
求问哪里可以查到SiO2 和HfO2中O2的扩散系数，谢谢 发自小木虫IOS客户端
求问哪里可以查到SiO2 和HfO2中O2的扩散系数，谢谢 发自小木虫IOS客户端