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氧化铪掺氧化硅靶材(HfO2-SiO2)产品应用 产品推荐 锗锑碲GST靶材(Ge2Sb2Te5) 钇管(Y) 氧化铟镓锌IGZO靶材(In2O3-Ga2O3-ZnO) 氟化锂颗粒(LiF) 产品需求 PRODUCT DEMAND 产品名称: 产品纯度: 产品尺寸: 您的昵称: 您的电话: 您的邮箱: 工作单位: ...
HfO2忆阻器通常采用金属-绝缘体-金属（MIM）结构，氧空位在电场作用下形成导电细丝。实验数据显示，HfO2器件的开关速度可达10纳秒级别，循环次数超过1E10次。SiO2忆阻器多依赖硅基底上的氧化层缺陷导电，开关速度普遍在微秒量级，但高温下稳定性更好，曾在200℃环境中连续工作1000小时无性能衰减。应用场景有明显区分。
偶极效应是指在HfO2与SiO2界面处由于电荷分布不均匀而产生的电场效应。这种电场效应导致了界面处电子结构的改变,进而影响了器件的性能。以下是HfO2与SiO2之间偶极效应的一些关键方面: 2.1.电荷分布。 在HfO2与SiO2界面处,由于材料的不同电负性,会出现电荷的分离现象。一般来说,氧化铪(HfO2)具有较高的电负性,而二氧化硅...
使用了一种交替沉积 HfO2和SiO2薄膜的技术路线,HfO2薄膜作为高折射率材料体现出张应力,SiO2薄膜作为低折射率材料体现出压应力。 结果表明,在稳定了很多实验条件的情况下,通过调整镀膜时的充氧量和镀膜材料的蒸发速率实现了应力的... 文档格式:PDF | 页数:5 | 浏览次数:82 | 上传日期:2015-11-24 09:22:20 |...
HfO2/SiO2光学薄膜激光损伤阈值的测量 作者: 胡建平 作者单位: 成都精密光学工程研究中心,四川,成都,610041 刊名: 光电子·激光 英文刊名: JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER 年,卷(期): 2002,13(4) 被引用次数: 5次 参考文献(5条) 1.Draft International Standard ISO/DIS 11254,Optics and optical instrument...
KHfO2是一种高介电常数的材料,通常用于替代传统的SiO2栅介质。高介电常数(High-k)材料可以提高栅电容,从而在不增加栅极厚度的情况下提高器件的性能。HfO2是其中一种常见的高-k材料,而KHfO2可能是指经过某种处理或掺杂的HfO2...
HfO2-SiO2混合膜力学性能第%= 卷第 * 期 c;H(%= ^;(*红外与激光工程 ?E3OCOKS CES @CLKO RE:/EKKO/E:#)!, 年 * 月 .KQ(#)!, 混合膜力学性能 !"# !"#$%&' !"#$( ) $$*+, %-./0 & '!( 1234 567489:4; <=>49:?@ABCDEF #)))*#G #( 12H4 IJKLMNOPQ...
混合膜杨氏模量硬度应力纳米压痕利用离子辅助电子束双源共蒸发工艺方法,制备了SiO2掺杂含量分别为0、13%、20%、30%、40%和100%的六组HfO2-SiO2混合膜.采用纳米压痕法测量了不同组分混合膜的杨氏模量和硬度,并研究了混合膜杨氏模量和硬度随SiO2含量增长的变化规律.结果显示,随着SiO2含量增加,混合膜杨氏模量和硬度均减...
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