偶极效应是指在HfO2与SiO2界面处由于电荷分布不均匀而产生的电场效应。这种电场效应导致了界面处电子结构的改变,进而影响了器件的性能。以下是HfO2与SiO2之间偶极效应的一些关键方面: 2.1.电荷分布。 在HfO2与SiO2界面处,由于材料的不同电负性,会出现电荷的分离现象。一般来说,氧化铪(HfO2)具有较高的电负性,而二氧化硅...
分子式HfO2-SiO2 纯度99.9% CAS号 摩尔质量 密度 熔点 沸点 溶解性(水) 氧化铪掺氧化硅靶材(HfO2-SiO2)产品概况 氧化铪掺氧化硅靶材(HfO2-SiO2)产品应用 产品推荐 氧化铟镓锌IGZO靶材(In2O3-Ga2O3-ZnO) 氟化锂颗粒(LiF) 氮化铝钪靶材(AlScN)
KHfO2是一种高介电常数的材料,通常用于替代传统的SiO2栅介质。高介电常数(High-k)材料可以提高栅电容,从而在不增加栅极厚度的情况下提高器件的性能。HfO2是其中一种常见的高-k材料,而KHfO2可能是指经过某种处理或掺杂的HfO2...
采用溶胶-凝胶方法制备了一种新颖的具有辐射聚合能力的HfO2/SiO2凝胶薄膜.并采用X射线作曝光光源对薄膜进行了曝光, 通过FTIR的测试, 分析了薄膜曝光前后的结构变化.结果表明, 该材料具有良好的辐射聚合能力.采用XPS分析了薄膜的成分, 并证实了Hf元素的存在.用椭偏仪测试了薄膜的折射率, 结果证实, 加入HfO2提高了体系...
使用了一种交替沉积 HfO2和SiO2薄膜的技术路线,HfO2薄膜作为高折射率材料体现出张应力,SiO2薄膜作为低折射率材料体现出压应力。 结果表明,在稳定了很多实验条件的情况下,通过调整镀膜时的充氧量和镀膜材料的蒸发速率实现了应力的...文档格式:PDF | 页数:5 | 浏览次数:77 | 上传日期:2015-11-24 09:22:20 | ...
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8 5 3 光电子 激光 2 2 年第 3 卷 HfO2/SiO2光学薄膜激光损伤阈值的测量作者: 胡建平作者单位: 成都精密光学工程研究中心,四川,成都,610041 刊名:光电子·激光英文刊名: JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER 年,卷(期): 2002,13(4) 被引用次数: 5次 参考文献(5条) 1.Draft International Standard ISO/...
HfO2/SiO2薄膜缺陷及激光损伤特性分析54激光与光电子学进展2001年第9期(总第429期)的原因可能是由于存在c一和cr卜离子的吸收使得Yb离子发生浓度滓灭t但如果用高功率的..
高反膜,增透膜和偏振膜是Nd:YAG激光器中的关键薄膜元件, 其抗激光损伤能力直接影响到激光器的输出能量和功率.由于优异的物理化学性能,高功率Nd:YAG激光器的光学薄膜一般采用HfO2/SiO2膜料组合镀 制,因而用此膜料镀制的光学薄膜的激光损伤特性是薄膜工作者重点关注的问题.对光学中心APS1504镀膜机镀制的HfO2/SiO2高...
用电子束蒸发技术在K9玻璃及 YAG晶体上沉积了HfO2/SiO2多层膜,采用纳米划痕仪对薄膜的力学性能进行了研究.实验结果表明:沉积在YAG和K9的多层膜弹性模量分别为 34.8GPa和38.5GPa,基底对薄膜的弹性模量影响较小;YAG和K9上薄膜的粘附失效临界附着力分别为5mN和7mN,薄膜与YAG基底的结合 状态较K9基底的差,并且呈现不同...