造粒法制备Si-HfO2复合粉体.气流式喷雾干燥法进行喷雾造粒时,在最佳制备工艺所得粉体颗粒元素分布均匀,但是粒径较小,不能作为等离子喷涂的原料;通过粘结剂含量,固相含量等浆料特性和离心频率等喷雾干燥工艺参数的调节,离心式喷雾干燥法能够在较大范围内调节粉体粒径,最终获得最佳工艺下,所制备的Si-HfO2复合粉体在...
Two-layer systems of Si-HfO2 bond coat and a Yb2Si2O7 EBC top coat were deposited using Plasma Spray- Physical Vapor Deposition (PS-PVD), which is a hybrid coating method technique capable of vapor or liquid deposition. Coatings were deposited on bulk 伪-SiC and tested for oxidation ...
通过常规电压测量、滞后温度依赖性分析、压电力显微镜、第一线原理计算和蒙特卡罗模拟的结合,我们认为铁电HfO2中前所未有的中间态稳定性是由于成核临界体积小,而铁电偶极子翻转的活化能大。这项工作证明了铁电HfO2在模拟设备应用中实现神经形态计算的潜力。 [1] Lee K, Lee H J, Lee T Y,et al. Stable Subloop...
Si掺杂HfO2的晶格结构和热学性质的研究 学校代号: 学号: 密级:公开兰州理工大学硕士学位论文掺杂的晶格结构和热学性质研究学位申请人姓名: **姓名及职称** 培养单位: 专业名称: 论文提交日期: 论文答辩日期: 答辩委员会主席:胛洲删?●删九吖 . ..,兰州理工大学学位论文原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重...
所述核壳结构的si-hfo2复合纳米粉体是以纳米si粉为核,hfo2为壳的微胶囊型粉末。 所述纳米si粉的粒度范围为50～100nm。 所述微米级si粉粒径为45～125μm。 另一方面,提供一种hfo2-si喷涂材料的制备方法,所述步骤如下: s1:以纳米硅、hf的水溶性盐、氨水为原材料,柠檬酸为表面活性剂,水、环己烷和正已醇...
HfO2 一般具有四方（tetragonal）、正交（orthorhombic）、单斜（monoclinic）三种晶体结构，其中单斜结构是...
通过改变Si掺杂量制备出了具有显著铁电和反铁电特征的HfO2纳米薄膜,对其电滞回线、电容-电压和漏电流-电压特性以及物相温度稳定性进行了对比研究。反铁电薄膜的介电系数大于铁电薄膜,在电场加载和减载过程中发生的可逆反铁电-铁电相变导致了双电滞回线的出现,在室温至185◦C的测试温度范围内未出现反铁电→顺电相变。
Characterisation of HfO2 deposited by photo-induced chemical vapour deposition The deposition of thin Hafnia (HfO 2) films on crystalline Si by photo-induced chemical vapour deposition (CVD) using 222 nm excimer lamps at temperatures ... Q Fang,JY Zhang,ZM Wang,... - 《Thin Solid Films》 ...
Si掺杂立方HfO2的电子结构和光学性质的第一性原理计算
Ferroelectric HfO2 is an attractive candidate for future ferroelectric random access memory devices due to its compatibility with the complementary metal-oxide-semiconductor process, conformal deposition, and scaling ability. Crystallization of HfO2 with different dopants and annealing conditions can produce th...