(2)界面的界面电荷密度减小,界面偶极子增加,而SiO_(2)/Si界面的界面电荷密度几乎不受退火影响.最后研究了不同退火氛围对电容平带电压的影响,发现两种不同的退火条件都会导致TiN/HfO_(2)/SiO_(2)/Si电容结构平带电压的正向漂移,基于退火对其电荷分布的影响研究,此正向漂移主要来源于退火导致的HfO_(2)/SiO_(2...