HfO2和SiO2作为两种常见的忆阻器材料,在电子器件领域各有特点。通过对比它们的结构、性能、应用场景,可以更清晰理解材料选择背后的逻辑。从材料特性看,HfO2(二氧化铪)属于高介电常数材料,介电常数约为25,热稳定性好,耐受温度超过1000℃。这种特性让HfO2薄膜在存储电荷时效率更高,适合制作高密度存储单元。SiO2(...
论述了45~32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料.研究表明,向HfO2中分别掺杂Al,Si,Ta,N等形成的复合Hf基高K栅介... 余涛,吴雪梅,诸葛兰剑,... - 《材料导报》 被引量: 20发表: 2010年 先进的Hf基高k栅介质研究进展 随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,Si...
求问哪里可以查到SiO2 和HfO2中O2的扩散系数,谢谢 发自小木虫IOS客户端
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