碳化硅(SiC)MOSFET与绝缘栅双极晶体管(IGBT)在应用中的降额标准差异主要体现在温度敏感性、开关损耗特性及导通电阻变化等方面。以下从关键维度对比两者的降额策略差异: 倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三...
IGBT模块在十几 kHz开关频率中就会表现出严重的局限性,由于IGBT模块尾电流导致损耗较大。使用 SiC-MOSFET模块,开关频率增加,从而减小了滤波器体积。SiC 模块允许在数十和数百 kHz 的频率下运行,开关损耗相对较低,从而显著减少了滤波器和散热热系统的体积。这些技术进步使变流器总体积大幅度减少,效率提高,从而能够在...
随着市场对电动车型的电池容量、电机功率、充电效率和损耗的要求提高,被称为新能源汽车双芯之一的IGBT器件受制于材料特性,性能明显出现瓶颈。 碳化硅(SiC)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性,更加适合高压、高频和高功率密度场合,因此得到了众多制造商的青睐。