SiC MOSFET 和 IGBT 的应用具有相似的功 率水平,但随着频率的增加而产生差异,如图 1 所示。SiC MOSFET 在功率因数校正电源、光伏逆变器、用于 EV/HEV 的直流/直流、用于 EV 的牵引逆变器、电机驱 动器和铁路中变得越来越常见,而 IGBT 在电机驱动器 (交流电机),不间断电源 (UPS)、小于 3kW 的集中式 和串式...
SiC MOSFET 和 IGBT 的应用具有相似的功 率水平,但随着频率的增加而产生差异,如图 1 所示。SiC MOSFET 在功率因数校正电源、光伏逆变器、用于 EV/HEV 的直流/直流、用于 EV 的牵引逆变器、电机驱 动器和铁路中变得越来越常见,而 IGBT 在电机驱动器 (交流电机),不间断电源(UPS)、小于 3kW 的集中式 和串式...
SiC MOSFET 和 IGBT 的应用具有相似的功 率水平,但随着频率的增加而产生差异,如图 1 所示。SiC MOSFET 在功率因数校正电源、光伏逆变器、用于 EV/HEV 的直流/直流、用于 EV 的牵引逆变器、电机驱 动器和铁路中变得越来越常见,而 IGBT 在电机驱动器 (交流电机),不间断电源 (UPS)、小于 3kW 的集中式 和串式...
同时,虽然SiC是化合物半导体材料,但是仍然可以在其上通过热氧化的方法形成二氧化硅(SiO2)层,这对于制造SiC栅控型器件非常有利。以上种种优势使得SiC和氮化镓(GalliumNitride,GaN)、金刚石材料(Diamond)一起被誉为发展前景十分广阔的第三代半导体材料。 得益于SiC优良的材料特...
相对于硅基器件,SiC MOSFET的宽禁带材料特性使得其能够承受的电压更高,极间电容更小,开关速度快能够降低开关损耗,并且大幅降低滤波器的体积;驱动电压更高导通阻抗更低,更适合大功率场景下使用。 Si MOSFET、SiC MOSFET和IGBT都可以在功率变换中使用。但是它们的特性是很不同的。虽然三者都通过栅极由电压驱动,但是IGBT...
一文了解功率半导体IGBT及SiC技术 一、IGBT的应用 电力电子技术在新能源汽车中应用广泛,是汽车动力总成系统高效、快速、稳定、安全能量变换的基础。新能源汽车中DC/DC拓扑主要应用于车载充电器,AC/DC拓扑主要应用于充电桩,DC/AC拓扑则主要应用于电机控制器。电机控制器用于实现大功率直流/交流变换之后驱动电动机,还可...
Si MOSFET、Si IGBT 和 SiC MOSFET 均可用于电源应用,但其功率水平、驱动方法和工作模式有所不同。功率 IGBT 和 MOSFET 在栅极均由电压进行驱动,因为 IGBT 内部是一个驱动双极结型晶体管(BJT) 的MOSFET。由于 IGBT 的双极特性,它们以低饱和电压承载很大的电流,从而实现低导通损耗。MOSFET 也具有低导通损耗,但取...
浅析功率半导体IGBT及SiC技术的相关知识 一、IGBT的应用 电力电子技术在新能源汽车中应用广泛,是汽车动力总成系统高效、快速、稳定、安全能量变换的基础。新能源汽车中DC/DC拓扑主要应用于车载充电器,AC/DC拓扑主要应用于充电桩,DC/AC拓扑则主要应用于电机控制器。电机控制器用于实现大功率直流/交流变换之后驱动电动机,...
隔离式感应同样重要，以保护系统免受共模瞬态电压影响。高dv/dt（电压变化率）可能导致误导通，因此需要采取措施降低CE或DS间电压，避免IGBT承受过大的尖峰电压。对于SiC器件，通常使用退饱和保护功能来检测短路情况，并限制关断时的栅极驱动电流，防止过大的di/dt（电流变化率）导致器件损坏。消隐时间的选择...