SiC MOSFET 和 IGBT 的应用具有相似的功 率水平,但随着频率的增加而产生差异,如图 1 所示。SiC MOSFET 在功率因数校正电源、光伏逆变器、用于 EV/HEV 的直流/直流、用于 EV 的牵引逆变器、电机驱 动器和铁路中变得越来越常见,而 IGBT 在电机驱动器 (交流电机),不间断电源(UPS)、小于 3kW 的集中式 和串式...
SiCMOSFET 和 IGBT 的应用具有相似的功率水平,但随着频率的增加而产生差异,如下图所示。iC MOSFET 在功率因数校正电源、光伏逆变器、用于EV/HEV 的直流/直流、用于 EV 的牵引逆变器、电机驱动器和铁路中变得越来越常见,而 IGBT 在电机驱动器(交流电机),不间断电源 (UPS)、小于 3kW 的集中式和串式光伏逆变器以...
SiC MOSFET 和 IGBT 的应用具有相似的功 率水平,但随着频率的增加而产生差异,如图 1 所示。SiC MOSFET 在功率因数校正电源、光伏逆变器、用于 EV/HEV 的直流/直流、用于 EV 的牵引逆变器、电机驱 动器和铁路中变得越来越常见,而 IGBT 在电机驱动器 (交流电机),不间断电源 (UPS)、小于 3kW 的集中式 和串式...
SiMOSFET、SiIGBT和SiCMOSFET均可用于电源应用,但其功率水平、驱动方法和工作模式有所不同。功率IGBT和MOSFET在栅极均由电压进行驱动,因为IGBT内部是一个驱动双极结型晶体管(BJT)的MOSFET。由于IGBT的双极特性,它们以低饱和电压承载很大的电流,从而实现低导通损耗。MOSFET也具有低导通损耗,但取决于器件的漏源导通电阻RDS...
相对于硅基器件,SiC MOSFET的宽禁带材料特性使得其能够承受的电压更高,极间电容更小,开关速度快能够降低开关损耗,并且大幅降低滤波器的体积;驱动电压更高导通阻抗更低,更适合大功率场景下使用。 Si MOSFET、SiC MOSFET和IGBT都可以在功率变换中使用。但是它们的特性是很不同的。虽然三者都通过栅极由电压驱动,但是IGBT...
SiMOSFET、SiIGBT和SiCMOSFET均可用于电源应用,但其功率水平、驱动方法和工作模式有所不同。功率IGBT和MOSFET在栅极均由电压进行驱动,因为IGBT内部是一个驱动双极结型晶体管(BJT)的MOSFET。由于IGBT的双极特性,它们以低饱和电压承载很大的电流,从而实现低导通损耗。MOSFET也具有低导通损耗,但取决于器件的漏源导通电阻RDS...
这会增加物料清单,占据栅极驱动器板上的更 多空间,并且增大栅极回路中的阻抗。作为替代方案, 分离输出驱动器具有单独的导通和关断路径,用于完 全独立地控制驱动拉电流或灌电流强度。关断时具有 较低的 RG 对 SiC MOSFET 是有利的,可以防止由于快 速开关和米勒电流引起的误导通。因此,分离输出(图 9 )是高效且...
隔离式栅极驱动器的演变(IGBT/SiC/GaN)-报告内容包含:效率和功率密度推动变革基本的 MOSFET 栅极驱动器功能驱动器演进以支持 IGBT(绝缘栅双极晶体管)驱动器进化以支持 SiC(碳化硅)
“在电动汽车 (EV) 和光伏 (PV) 系统等绿色能源应用所需的 DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器和交流 (AC) 逆变器中,碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是关键元件。但是如要获得最高的效率,SiC MOSFET 和 Si IGBT 的栅极在导通和关断时需要精确的驱动电压(具体取决于所使用的器件)。
在高效电源转换中，半导体IGBT和SiC栅极驱动器扮演关键角色。它们的特性对系统效率和尺寸起着决定性作用，尤其是在高压应用中。SiC MOSFET因其宽禁带特性，如高电压耐受、低电容和快速开关，使得它在大功率场景下表现出色。IGBT和SiC MOSFET在功率变换中的应用各有优势，IGBT因其内置双极性晶体管能承载高...