中电品牌 WS3A008120E 8A 1200V碳化硅SIC SBD肖特基二极管 TO-252器件 WS3A008120E 8853 中电基 TO-252 2024+ ￥10.0000元1~499 PCS ￥8.0000元500~-- PCS 深圳源芯半导体有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 中电品牌 WS3A030065A 650V 30A TO-220C-2L SiC SBD肖特基碳化硅器件 WS3A03...
SIC SBD肖特基功率二极管 WS3A015120A TO-220C-2L 15A 1200V器件 WS3A015120A 9585 中电基 TO-220C-2L 2023+ ￥1.0000元1~-- PCS 深圳源芯半导体有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 SCS230KE2AHRC 罗姆 TO-247 1200V 30A SiC SBD碳化硅功率元器件 SCS230KE2AHRC 6525 ROHM罗姆 ...
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SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。 因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。广泛应用于空调、电源、光...
SicSBD阳极金属是与碳化硅形成肖特基接触的金属,其作用是形成肖特基势垒,限制电流流动,从而实现二极管的整流功能。不同的阳极金属对肖特基势垒的高度有不同的影响,因此对器件性能也有不同的影响。 二、SicSBD阳极金属对器件性能的影响 1. 肖特基势垒高度 阳极金属与碳化硅...
真实性核验 主营商品:Sic碳化硅、MOS管、肖特基二极管、SiC碳化硅 进入店铺 全部商品 店内热销 查看详情 INN650D150A 氮化镓MOS管 LED照明驱动器 650V 17A DFN8X8 元器件 ￥12.00 查看详情 INN650D260A 氮化镓MOSFET管 光伏储能系统器件 650V 14A DFN8X8 ￥7.00 查看详情 INN650DA150A 氮化镓电子电器电源设...
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乐居财经 邓如菲 3月13日消息,据国星光电官微,近日,国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证,并获得AEC-Q101车规级认证。…
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