SIC SBD肖特基功率二极管 WS3A015120A TO-220C-2L 15A 1200V器件 WS3A015120A 9585 中电基 TO-220C-2L 2023+ ￥1.0000元1~-- PCS 深圳源芯半导体有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 SCS230KE2AHRC 罗姆 TO-247 1200V 30A SiC SBD碳化硅功率元器件 SCS230KE2AHRC 6525 ROHM罗姆 ...
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总之,碳化硅肖特基二极管是一种高性能半导体器件,而行业中推出的内绝缘型TO-220封装碳化硅肖特基二极管产品,更是从优化安装工艺、提升产品质量、减少热阻等方面很好地解决了绝缘和导热痛点,将在未来的高效能电子器件中扮演重要角色,为人类创造更加美好的生活。
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1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。 因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。广泛...
1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。
SiC MOSFET:具有较低的导通电阻,这得益于SiC材料的高载流子迁移率和低电阻率。低导通电阻意味着在导通状态下,器件的功耗更低,效率更高。 SiC SBD:虽然其导通压降也相对较低,但相比于SiC MOSFET来说,其导通电阻可能稍高一些。不过,在高频和高效率应用中,SiC SBD的导通电阻仍然是可以接受的。
一、用SiC SBD代替硅SBD 为了平衡成本和性能，强烈建议更换二极管(用SiC SBD代替硅SBD)。与硅SBD相比，SiCSBD具有更低的trr和lrr，从而带来更低的 Err和更好的系统效率。1、NTH4L015N065SC1：SiC MOSFET，EliteSiC，12mohm，650 V，TO247-4 (1)特性 RDS(on)典型值=12 mΩ @ VGS = 18V；RDS(on)典型...