目前,SICDMOS已经越来越广泛的开始替代常规的SiVDMOS以及SiIGBT,但是SICDMOS在带来优异性能的同时也有其固有缺点,其一重点便是由于其宽禁带特性带来的高击穿场强(约为Si器件的10倍)这导致栅氧化层易受损或被击穿,造成器件失效或稳定性不佳。 发明内容 鉴于上文所述,本发明针对现有的SICDMOS由于其宽禁带特性带来的高...
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Si IGBT与SiC MOSFET并联组成的Si/SiC混合器件(HyS)因在功率变换器中提供了一种成本与性能的优化折衷而受到广泛关注。其中,SiC MOSFET特性直接影响Si/SiC混合器件的性能,对基于不同类型SiCMOSFET的Si/SiC混合器件的特性差异分析极为必要。该文对比分析基于新型集成结势垒肖特基二极管(JBS)的SiCMOSFET(SiCJMOS)的Si/...
This problem cannot be solved within MOSFET itself. 关键词: Electrical engineering Development of high voltage P -channel DMOS -IGBTs in 4H-SiC PURDUE UNIVERSITY James A. Cooper Sui Yang 被引量: 29 年份: 2007 收藏 引用 批量引用 报错 分享 ...
We experimentally demonstrate 4H-SiC n-channel, DMOS Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) on 180 μm thick lightly doped free-standing n~- substrates with an ion-implanted collector region, and metal-oxide-semiconductor (MOS) gate on (0001) and (000-1) surfaces. The IGBTs show an on...
骑不快的落雨:安全骑行不炸街不扰民。骑不快的落雨入驻抖音,TA的抖音号是yu520250,已有3000个粉丝,收获了104579个喜欢,欢迎观看骑不快的落雨在抖音发布的视频作品,来抖音,记录美好生活!
(1)SiC-DMOS结构 (2)SiC-DMOS转移特性和输出IV特性 #DEFECT 语句: #不规则材料的带隙中有大量缺陷能态.采用连续的能态密度,可以精确地模拟由多晶或非晶物质组成的器件.DEFECT语句定义缺陷态密度(density of defect states,DOS)由指数衰减的带尾态和高斯分布的带隙态(mid-gap states)两部分组成.除此之外,必须...
本发明公开了一种SIC DMOS器件结构,通过在常规trench SIC DMOS基础上增加deep trench,并在deep trench底部做P+注入,然后淀积oxide,回刻oxide,同时注意底部保留较厚的oxide,最后热氧生长gate oxide以及填充poly,淀积ILD及source metal而形成SIC DMOS器件;trench底部的厚oxide以及底部注入的P+都能对trench形成保护,在...
碳化硅结构设计场限环数值仿真碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的典型代表,凭借其宽带隙,高电子饱和漂移速度,高临界击穿电场,高热导率等特点成为制作高压大功率,抗辐照,耐高温电力电子器件的理想材料,尤其是碳化硅垂直双扩散场效应管(SiC DMOS)在高压大功率领域拥有巨大的优势和潜力.本文通过器件数值仿真工具Silvaco设计了...
4H-SiC Power Devices: Comparative Overview of UMOS, DMOS, and GTO Device StructuresSilicon Carbide (SiC) is an emerging semiconductor material which has been widely predicted to be superior to both Si and GaAs in the area of power electronic switching devices [1]. This paper presents an ...