10 kV, 5A 4H-SiC power DMOSFET [ C] //Procee- dings of the 18th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's. Naples, Italy, 2006: 1-4.S. H. Ryu, S. Krishnaswami, B. Hull, J. Richmond, A. Agarwal, and A. Hefner,"10 kV, 5 A, 4H-SiC power DMOSFET,"...
场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路;某次场效应管的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应;另外场效应管没有二次击穿失效机理,...
一、10N60场效应管参数详解 10N60场效应管是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点,广泛应用于电源、马达驱动、音频放大等电路。其主要参数如下: 1. VDSS(漏源电压):这是场效应管在工作时允许施加在...
N沟道100 V、9 mOhm典型值、110 A STripFET II功率MOSFET,D2PAK封装 Order Direct 产品概述 描述 These Power MOSFETs have been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the devices suitable for ...
10-kV 123mW-cm^2 4H-SiC Power DMOSFETs Not Available S Ryu - 《IEEE Electron Device Letters》 被引量: 9发表: 2004年 Development of 4.5 mΩ-cm2,1.2 kV 4H-SiC Power DMOSFETs In this paper, a 4.5 mΩ-cm~2, 1.2 kV power DMOSFETs in 4H-SiC were reported. The devices utilized ...
The resulting 0.15-cm2 active 0.43-cm2 die DMOSFET with 10-kV breakdown provides IDS = 8 A at a gate field of 3 MV/cm, along with a subthreshold current at VGS = 0 V that decreases from 1 muA (6.7 muA/cm2) at 25degC to 0.4 muA (2.7 muA/cm2) at 200degC. 展开 ...
10N60场效应管是一种N沟道的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电力电子电路中。其主要参数如下: 1. 漏源电压(VDS):这是场效应管能承受的最大漏源电压。对于10N60来说,其VDS一般为600V,意味着在正常工作条件下,该管子...
A 10-kV Large-Area 4H-SiC Power DMOSFET With Stable Subthreshold Behavior Independent of Temperature 来自 IEEEXplore 喜欢 0 阅读量: 20 摘要: This paper presents the development and demonstration of large-area 10-kV 4H-SiC DMOSFETs that maintain a classically stable low-leakage normally off ...
10N60是一款高性能的场效应管(MOSFET),具有低RDS(on)(在VGS=10V时仅为0.6Ω)、低栅电荷(典型的44nc)以及快速切换能力等特点。此外,它还具备较高的雪崩能量和增强的dv/dt能力,使得这款场效应管在高压、大电流的应用场景下表现出...
N沟道950 V、0.65 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装 Order Direct 产品概述 描述 这款N-沟道稳压保护功率MOSFETs采用ST革命性的耐雪崩、超高压SuperMESH™ 5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。