近年来,4H-SiC(4H-碳化硅)功率MOSFETs因其优异的功率特性和高温工作能力而备受关注。本文旨在综述4H-SiC功率MOSFETs的可靠性研究现状,并讨论该领域的挑战和未来研究方向。 1. 4H-SiC功率MOSFETs的特性和优势 4H-SiC材料具有高电子迁移率、高断电场和较低漏电流等优势,使其成为制造高性能功率器件的理想材料之一。而...
SiC DMOSFET Technology Limitations - SiO_2/SiC interface quality - Interface state density/interface traps - Bulk traps in SiC (sub-oxide) - Traps in SiO_2 (near interfacial). Commercial 1200 V 4H-SiC DMOSFET Development - 0.1 cm~2 active area - 100 m惟 on resistance - t_(on) < ...
依赖于温度和掺杂的载流子寿命模型载流子统计模型：费米狄拉克 5 2018/10/11 介质材料对MOS电容电学特性的影响机理 不同频率下MOS电容的C-V特性：(a)sampleA:HfO2(3.7nm)/SiO2(7.5nm)/SiC,(b)sampleB:HfO2(3.2nm)/SiO2(15.5nm)/SiC,(c)sampleC:HfO2/SiC,and(d)sampleD:Al/HfO2/SiO2/Si.6 ...
SiC由于其出色的电气特性(宽禁带,高饱和电子漂移速度等)被用作高温高电压器件,同时其拥有与Si基器件相同的氧化特性,能直接在SiC上生成SiO2层,这是其他同为第三代半导体GaN,钻石器件所不拥有的优点。这使得基于SiC MOSFET器件制造CMOS电路成为了可能。在Si基CMOS驱动电路与SiC功率器件的系统中,由于Si基电路不耐高温(...
碳化硅(SiC)由于其带隙宽、热导率高、电子的饱和速度大、临界击穿电场 高等特点成为制作高温、高频、大功率和抗辐射器件的首选半导体材料之一。本 文采用了一种带有电流扩展层的新型功率MOSFET的器件结构,通过器件性能的 研究和器件参数的优化,获得了较低的特征导通电阻和较高的击穿电压。论文的 ...
This thesis focuses on the design, fabrication, and characterization of power DMOSFETs in 4H-SiC material. 4H-SiC has a wide bandgap (Eg = 3.23 eV), a high breakdown electric field (2.2 MV/cm), and a high electron mobility (μ= 900 cm/Vsec, μ= 800 cm/Vsec) which makes it very...
浓度的迁移率模型,碰撞电离模型,依赖于温度和掺杂的载流子寿命模型 载流子统计模型:费米狄拉克 * * 不同频率下MOS电容的C-V特性:(a) sample A: HfO2 (3.7 nm)/SiO2 (7.5 nm)/SiC, (b) sample B: HfO2 (3.2 nm)/SiO2 (15.5 nm)/SiC, (c) sample C: HfO2/SiC, and (d) sample D: Al/HfO2/...
•SiO2/SiC结构界面特性差，界面态密度高，导致SiCMOSFET沟道迁移率下降与阈值电压漂移；实验表明通过改进氧化工艺如氮钝化可以改善界面特性，在NO/NO2中退火能提高迁移率至50cm2/Vs，但近导带底界面态密度增加，引起沟道迁移率降低；在POCl3中氧化退火能提高迁移率至89cm2/Vs，但由于P掺杂，氧化层陷阱电荷密度增加...
Keywords:6H-SiC;4H—SiC;powerVDMOSFET EEACC:2560P 0引言 SiC因其独特的材料属性,例如高击穿电场, 高电子饱和速度,高热导率,在高功耗,高速,高 温开关器件中具有巨大的应用潜力-1J,SiC的功率 处理能力明显优于si.垂直双扩散MOS(VDMOS) 晶体管具有输入阻抗高,开关速度快,工作频率 ...