所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是功率MOS。
随着温度的增加,N沟道与P沟道MOSFET的Vth随着温度的增加而趋于0。本文中的N沟道MOSFET的MOS界面存在大量的表面态缺陷捕获自由电子。 电源电压(Vdd)分别为5、10、15V的4H-SiC MOSFET组成的CMOS反相器的反转特征如下图所示。如图所示电源电压大于10V时才出现明显的反转特征。 同时如下图所示,4H-SiC CMOS反相器在电源...
一、辐照对4h-sic mos基器件性能的影响 4h-sic作为一种宽禁带半导体材料,具有较强的抗辐照能力。辐照仍会导致材料内部结构发生改变,进影响mos器件的电学性能。辐照剂量是影响器件性能变化的关键因素,不同辐照剂量下,4h-sic mos器件的电导率、击穿电压、阈值电压、漏电流等电气性能会发生不同程度的变化。 1.电导率...
33、相比于现有沟槽栅4h-sic mosfet(vumos)元胞结构,本发明提出了一种沟槽栅双控制极4h-sic复合晶体管结构,首先将n+源区和p+欧姆接触区分离,引入与vumos并联的bjt,形成双控制极,分别控制vumos和bjt的开通和关断,以降低dct的导通电阻和损耗,同时减小沟道密度,以增加短路耐受时间,提高抗短路能力,并且消除体二极管...
(3)4H-SiC/Al2O3 MOS结构制备及其等离子体钝化:采用射频磁控溅射方法在4H-SiC上沉积Al2O3,研究在溅射过程中通入的氧气流量,沉积后的退火温度和氮等离子体处理对4H-SiC/Al2O3 MOS结构界面质量的影响.从表面形貌和电学性能两个角度对4H-SiC/Al2O3 MOS结构进行质量评估,期望在各个优化工艺中得到最优的工艺参数...
大连理工大学硕士学位论文4H-SiCMOS结构工艺与电学特性研究姓名:马继开申请学位级别:硕士专业:物理电子学指导教师:王德君007101
MOS Characteristics of C-Face 4H-SiCZ. CHEN, 1,3 A.C. AHYI, 1 X. ZHU, 1 M. LI, 1 T. ISAACS-SMITH, 1J.R. WILLIAMS, 1 and L.C. FELDMAN 21.—Physics Department, Auburn University, Auburn, AL 36849, USA. 2.—Institute of AdvancedMaterials, Devices and Nanotechnology, Rutgers Un...
4° 偏角n型4H-SiC(0001)Si面衬底,其上生长为有效载流子密度(Nd-Na)8×10E15cm-3下氮掺杂的(12μm)外延层,可用于制造MOS电容。通过薄膜应力测量系统FLX-2320-S测量样品的曲率半径(R)。所选拉伸样品A和B的曲率分别为-0.0132和-0.0091(1/m)。在室温下将硼离子以固定能量(110keV)和不同剂量注入样品C和D...
4H -SiC 台阶型沟槽MOSFET 器件 张㊀跃,张㊀腾,黄润华,柏㊀松 (南京电子器件研究所宽禁带功率半导体器件国家重点实验室,江苏南京㊀210016)摘㊀要:介绍了一种4H -SiC 台阶型沟槽MOSFET 器件㊂该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD 软件对台阶状沟槽的数量㊁深度㊁宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶...
(a) 高温存储过程中,4H-SiC MOS 电容在频率为100 kHz下的常温C-V曲线;(b) 4H-SiC MOS电容的有效界面电荷密度随高温存储应力时间的变化 基于以上结果,推测了高温存储应力下界面电荷变化的物理过程。 在初期,界面电荷可通过热电子发射等形式填充进SiO2/4H-SiC界面。