一、辐照对4H-SiC MOS基器件性能的影响 4H-SiC作为一种宽禁带半导体材料,具有较强的抗辐照能力。辐照仍会导致材料内部结构发生改变,进影响MOS器件的电学性能。辐照剂量是影响器件性能变化的关键因素,不同辐照剂量下,4H-SiC MOS器件的电导率、击穿电压、阈值电压、漏电流等电气性能会发生不同程度的变化。 1.电导率...
随着温度的增加,N沟道与P沟道MOSFET的Vth随着温度的增加而趋于0。本文中的N沟道MOSFET的MOS界面存在大量的表面态缺陷捕获自由电子。 电源电压(Vdd)分别为5、10、15V的4H-SiC MOSFET组成的CMOS反相器的反转特征如下图所示。如图所示电源电压大于10V时才出现明显的反转特征。 同时如下图所示,4H-SiC CMOS反相器在电源...
所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是功率MOS。
栅氧化层作为4H-SiC MOS结构的重要组成部分,具有隔离栅极和半导体材料的作用。栅氧化层的可靠性直接影响到器件的工作稳定性和寿命。我们将针对栅氧化层的击穿电压、漏电流、漏电流稳定性等进行研究。通过制备多样的栅氧化层样品,并利用高温老化实验和电性能测试,我们可以评估栅氧化层的质量,并进一步提出改进方法。这有...
(a) 高温存储过程中,4H-SiC MOS 电容在频率为100 kHz下的常温C-V曲线;(b) 4H-SiC MOS电容的有效界面电荷密度随高温存储应力时间的变化 基于以上结果,推测了高温存储应力下界面电荷变化的物理过程。 在初期,界面电荷可通过热电子发射等形式填充进SiO2/4H-SiC界面。
主要内容 引言介质材料及其性质物理模型与计算方法介质材料对4H-SiCMOS电容电学特性 的影响机理介质材料对4H-SiCMOSFET电学特性 的影响总结 2 2023/10/15 引言 SiC功率MOSFET具有功率密度大，能有效降低功率损耗，减小系统本钱，在逆变、输电、大功率、高温领域具有宽阔的应用前景；在SiC上利用一般热氧化方法制备SiO2的...
对制备的AlON/4H-SiC MOS电容进行了高-低频电容-电压特性测试,并开展了介质零时击穿(TZDB)实验.发现当PDA温度为800℃时,得到的AlON/4H-SiC MOS电容有着较低的界面态密度,栅极电流密度和较高的介电击穿电场强度,表明经过合适的PDA工艺后,基于AlON高k栅介质材料的4H-SiC MOS器件栅介质的界面态密度得到显著降低,...
(1)通过不同高温氧化工艺对平面型4H-SiCMOS电容进行了制备,采用了C-V测试法及非接触C-V方法对得到的MOS电容SiC/SiO2界面特性进行了表征,通过提取的界面态密度比较了不同工艺条件的优劣并对两种表征方法的优缺点及各自的适用性进行了讨论。 (2)对SiCMOSFET器件栅氧化层TDDB效应展开了研究。设计实验方案对SiCMOS器件...
(a) 高温存储过程中,4H-SiC MOS 电容在频率为100 kHz下的常温C-V曲线;(b) 4H-SiC MOS电容的有效界面电荷密度随高温存储应力时间的变化 基于以上结果,推测了高温存储应力下界面电荷变化的物理过程。 在初期,界面电荷可通过热电子发射等形式填充进SiO2/4H-SiC界面。
4° 偏角n型4H-SiC(0001)Si面衬底,其上生长为有效载流子密度(Nd-Na)8×10E15cm-3下氮掺杂的(12μm)外延层,可用于制造MOS电容。通过薄膜应力测量系统FLX-2320-S测量样品的曲率半径(R)。所选拉伸样品A和B的曲率分别为-0.0132和-0.0091(1/m)。在室温下将硼离子以固定能量(110keV)和不同剂量注入样品C和D...