这种结构差异使得两者在物理和化学性质上有所不同。 2. 物理性质差异 由于结构的不同,6H碳化硅和4H碳化硅在物理性质上也存在明显的差异。例如,6H碳化硅的硬度较高,是已知最硬的材料之一,而4H碳化硅的硬度相对较低。此外,6H碳化硅的导热性较差,而4H碳化硅的导热性较好。这些物理性质的差异使得...
从下表参数看，4H SiC本征载流子浓度和电子迁移率都比6H SiC高很多。更高的电子迁移率un，可以得到更...
1. 晶体结构差异：3C-SiC拥有立方晶格结构，4H-SiC呈现出四方晶格特征，而6H-SiC则具有六方晶格结构。2. 应用领域区分：3C-SiC适合用作磨料、半导体材料以及高温半导体材料。4H-SiC适用于高温环境、高频应用和大功率电子器件制造。6H-SiC则在高功率、高温以及高频电子器件领域表现出优势。
两种晶体结构的区别主要在于6H-SiC和4H-SiC的堆叠方式和原子排列方式不同。尽管它们之间的晶胞结构有一些差异,但两个结构都能够提供类似的性能和特点。在一些应用中,两种结构的晶体可以相互替代使用,具体取决于具体需求和应用场景。例如,在电力电子器件和光电子器件领域,两种结构的SiC晶体既具有较高的耐电压能力,也能够...
摘要:对于高导热碳化硅(4H-SiC、6H-SiC)圆晶的导热系数测试,目前普遍都采用闪光法,但都存在测试结果偏低的现象。本文基于这种高导热碳化硅特性和闪光法,解释了这种测试误差较大的原因,并通过相关文献报道的…
晶体结构差异是影响4H-SiC与6H-SiC热导率的关键因素。4H-SiC的原子排列方式赋予其独特热传导能力 。6H-SiC的晶格结构为热导率带来特定影响 。杂质种类对4H-SiC和6H-SiC热导率有不同程度改变 。少量氮杂质会影响4H-SiC内部热传导路径 。硼杂质在6H-SiC中会干扰热导率相关机制 。温度变化时4H-SiC热导率呈现...
同问，我就知道一点点，6H的质量更好，价格更贵
1.5倍,证实了4H-SiC 具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H.SiC器 件具有更高的饱和电流密 度,而两种器件的阈值电压基本相同,均为7v左右.对器件开关时间 和单位面积损耗的分析表 明.4H.SiC比6H.SiC更适合用于VDMOS功率器件.此外,还研究了 ...
度,而两种器件的阈值电压基本相同,均为7v左右.对器件开关时间和单位面积损耗的分析表 明.4H.SiC比6H.SiC更适合用于VDMOS功率器件.此外,还研究了沟道长度对器件漏极饱和电 流的影响,结果表明,随着沟道长度的减小,器件的漏极电流增大.关键词:6H.碳化硅;4H.碳化硅;功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 中图...