换句话说就是平面型SiC MOSFET有瓶颈,因此,沟槽型开始成为二极管和MOSFET的重点。 与Si类似,沟槽型SiC可以构建更深的P型掩蔽,大大减小了反向阻断时结位置的电场强度,从而降低二极管的漏电流,提高了器件的热稳定性;此外,它将导电沟道从水平的晶面转移到了表面电子迁移率更高的竖直晶面,消除JFET区域,使器件导通电阻更...
与Si-MOSFET的区别:驱动电压 SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比,由于漂移层电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。 导通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V,而SiC-...
相应地，SiC的结温最高可以达到 600℃ ，但其主要受键合和封装技术的限制。这使得 SiC 成为适用于高压、高速、高电流、高温、开关电源应用的优质 WBG 半导体材料。表 1. 半导体材料属性 SiC MOSFET 通常适用于电压范围 650 V < BVDSS <1.7 kV，主要集中在 1.2 kV 及以上。在 650 V 的较低范围内，传统的...
SiC MOSFET学习笔记:各家SiC厂商的MOSFET结构 当前量产主流SiCMOSFET芯片元胞结构有两大类,是按照栅极沟道的形状来区分的,平面型和沟槽型。 如上图,左边是一颗典型的平面SiC MOSFET芯片(宏观图)其中G区是栅极焊盘(gate pad),也就是引出栅极引线的地方,起控制作用。
浅谈SiC MOSFET芯片的短路能力 SiCMOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承诺短路能力,有少数在数据手册上标明短路能力的几家,也通常把短路耐受时间(SCWT:short circuit withstandtime)限制在3us内。 这个相比Si基IGBT动辄6us甚至10us的时间,降低了很多,最近看了一些资料,尝试着理解一下。
碳化硅(Sic)作为第三代半导体材料的代表性材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性,使其在电力电子器件领域得到广泛关注。碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体是目前主要的功率器件类型之一,其中,沟槽结构MOSFET(U-MOSFET)相对于传统的平面结构MOSFET有更低的导通损耗、更好的开关...
安森美第二代1200V碳化硅MOSFET分为两种核心技术，一种是T设计，另一种是S设计。T设计主要针对逆变器，因此需要更低的RDS(ON)和更好的短路能力，而不是更快的开关速度。S设计对高开关性能进行了优化，因此设计具有较低的QG(TOT) 和较高的di/dt和dv/dt，从而降低开关损耗。M3S产品分为13/22/30/40/70mΩ，...
碳化硅MOSFET芯片结温可达300度，可靠性，稳定性大大高于硅基MOSFET，综上所述：使用碳化硅MOSFET可以让电源实现高效率，小体积，在一些高温，高压环境，在一定优势。四.碳化硅MOSFET的综合特性 01 SiC器件的结构和特征 SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以高频器件结构的MOSFET实现高耐压和低...
相对于IGBT,SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET(超级结MOSFET),导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复损耗。 下表是600V～2000V耐压的功率元器件的特征汇总。 雷达图的RonA为单位面积的导通电阻(表示传导时损耗的参数),BV为元...