2、SiC MOSFET应用本就多在高压高频大电流领域,电路中寄生参数产生尖峰毛刺,造成瞬时过压或开关损耗,此外沟槽SiC MOSFET不具备抗浪涌电压自抑制能力和过压保护能力,需要在实际应用中设计复杂缓冲电路、浪涌电压抑制电路和过压保护电路,更多的外部电路导致过压保护延迟加大,同时实际开关过程依然容易被击穿,引发器件可靠性问题;...
碳化硅MOSFET一般用于高压,大功率电源应用,这种电源由于系统要求需要做原副边的隔离,所以通过变压器从一边到另一边传递能量,而控制器一般放在其中一边,比如副边,驱动原边的碳化硅MOSFET的时候就需要通过隔离方式的驱动将副边控制器发出的驱动信号,传递到原边,去驱动它。 采用隔离方式,可以对原边的高压电路的地和副边控...
2、SiC MOSFET应用本就多在高压高频大电流领域,电路中寄生参数产生尖峰毛刺,造成瞬时过压或开关损耗,此外沟槽SiC MOSFET不具备抗浪涌电压自抑制能力和过压保护能力,需要在实际应用中设计复杂缓冲电路、浪涌电压抑制电路和过压保护电路,更多的外部电路导致过压保护延迟加大,同时实际开关过程依然容易被击穿,引发器件可靠性问题;...
碳化硅MOSFET芯片结温可达300度，可靠性，稳定性大大高于硅基MOSFET，综上所述：使用碳化硅MOSFET可以让电源实现高效率，小体积，在一些高温，高压环境，在一定优势。四.碳化硅MOSFET的综合特性 01 SiC器件的结构和特征 SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以高频器件结构的MOSFET实现高耐压和低...
一文了解SiC MOS的应用 作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可以实现更低的开关和导通损耗,同时具有更高的阻断...
英飞凌推出的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性及最佳可靠性。我们的产品系列采用分立封装,还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。
SiC MOSFET 通常适用于电压范围 650 V < BVDSS <1.7 kV，主要集中在 1.2 kV 及以上。在 650 V 的较低范围内，传统的硅 MOSFET 和 GaN 优于 SiC。但是，考虑使用较低电压的 SiC MOSFET 的原因之一可能是利用其出色的热特性。尽管 SiC MOSFET 的动态开关行为与标准硅 MOSFET 非常相似，但由于其器件特性，...
一般截止区或线性区是MOSFET的正常工作区,线性区的电阻即为MOSFEI的导通电阻。导通电阻是衡量SiC MOSFET性能的重要参数之一,目前研究的重点就是降低导通电阻。功率器件想要获得高的开关效率,器件本身的功率损耗要尽可能的减小。器件的导通电阻越小,在同样的额定电流下,器件的输出功率越高,器件的功率损耗越低。如下图,...
SiC‐MOSFET 与IGBT 不同,不存在开启电压,所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。而Si MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上,与Si MOSFET 不同,SiC MOSFET的上升率比较低,因此易于热设计,且高温下的导通电阻也很低。