与600V～1200V的Si MOSFET相比，SiC MOSFET的优势在于芯片面积小（可以实现小型封装），而且体二极管的恢复损耗非常小。2 SiCMosfet的导通电阻 SiC 的绝缘击穿场强是Si 的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值的情况下，SiC 可以得到标准化导通电阻（单位面
SiCMOSFET能够支持更高的工作电压,通常可以达到650V、1200V甚至更高,这使其在高压电源转换和电动机驱动等应用中表现出色。相比之下,传统硅MOSFET的工作电压一般限制在200V到600V之间。高电压工作能力使SiCMOSFET在电力变换中更具优势。 3.更高的开关频率 SiCMOSFET的开关损耗显著低于硅MOSFET,这使得其能够在更高频率...
另外，SiC MOSFET可以使得伺服驱动器与电机集成在一起，从而摒除线缆上dv/dt的限制，高dV/dt条件下，SiC的开关损耗会进一步降低，远低于IGBT。即使是开关过程较慢时，碳化硅的开关损耗也优于IGBT。此外，SiC MOSFET的开关损耗基本不受温度影响，而IGBT的开关损耗随温度上升而明显增加。因此高温下SiC MOSFET的损耗更具...
SiC MOSFET凭借其在材料特性、开关速度、高温工作能力以及热稳定性和使用寿命等方面的优势，正逐步成为电力电子领域的新宠。随着技术的进一步发展和成本的降低，预计SiC MOSFET将推动电力电子技术向更高效率、更小体积和更可靠的方向发展。
随着电力电子技术的快速发展，SiC MOSFET 凭借其出色的材料属性在高频、高压和高温电力电子应用中展现出显著的优势。SiC MOSFET 较慢的短路耐受性和较快的开关速率为短路预防技术带来了新的问题。使用各种模型和参数因素对 Si 和 SiC MOSFET 进行了比较和评估。事实证明，SiC MOSFET 在各种条件和应用中都优于 Si ...
SiC MOSFET在1500V光伏系统、800V电动汽车平台中展现压倒性优势。例如,800V车载充电机(OBC)采用SiC后,功率密度可达4kW/L(IGBT方案仅2kW/L),充电时间缩短30%。 高频与高功率密度需求 数据中心电源、航空电源等场景中,SiC模块可将开关频率提升至200kHz以上,结合平面变压器技术,功率密度突破100W/in³(传统方案<50W...
SiC技术作为一种新兴的宽禁带半导体材料,相较于传统的硅材料具有显著的优势,特别是在高电压、高频率和高功率密度应用中。 更高的击穿电压:SiC MOSFET具有比硅器件更高的击穿电压,这使得它能够在更小的体积中承受较高的电压。 减少开关损耗:SiC的更高击穿电压意味着其能够处理与硅相同的电压但所需的体积更小,从而...
与传统的硅基MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET具备以下几点显著优势：1. 高工作频率：能够达到1MHz甚至更高，有助于实现电源系统的小型化和美观化，推动电源技术的升级换代。2. 低导通阻抗：其内阻可低至几个毫欧姆，易于满足能效要求，减少散热器使用，缩小电源体积，降低温度，从而提高可靠性。3. 高耐压...
先来一个简单的对比，市面上常见的功率开关器件主要是传统硅(Si)MOSFET。然而，与硅MOSFET相比，SiC MOSFET在多个方面都表现出了明显的优势。更高的击穿电压： SiC材料天然具有更高的带隙宽度和更强的电场应力承载能力，因此SiC MOSFET可以实现更高的击穿电压。这使得它们在高压应用中表现尤为出色，比如电动车的电机...