型号 FCD100AC120 苏州阜晶电子供应三社碳化硅模块产品FCD100AC120 FCD150AC120 电力半导体三社模块, 整流模块 可控硅 碳化硅模块及分立器件, 单管等。欢迎客户致电联系我司。 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变...
SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 120 A FEATURES Virtually no recovery tail and no switching losses Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material Improved VF and efficiency by thin wafer technology ...
DIF120SiC022碳化硅(SiC)MOSFET 本资料介绍了DIF120SIC022型碳化硅(SiC)MOSFET的特性、应用领域和相关技术规格。该器件具有低导通电阻、快速开关时间、高耐压等特点,适用于直流转换器、电源供应、电机驱动等领域。 DIOTEC - SIC场效应晶体管,碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,SILICON CARBIDE MOSFET,DIF120SIC022,DIF120SIC02...
这种 SiC JFET 适用于任何需要高功率和快速开关速度的应用。然而,它特别适合用于音频行业,在高端放大器中可以找到它。 简要总结 SJEP120R100A 是一种碳化硅 (SiC) 功率JFET,可正常关闭工作(参见图 1)。它具有极快的开关速度(即使在高达 150°C 的温度下,也没有尾电流),并且与标准集成电路完全兼容。使用简单的...
本产品是基于派恩杰1200V/350A SiC 模块PAA12400BM3 开发的800V 电机驱动平台。采用如图1所示三相桥式拓扑结构,母线额定电压为650V,工作母线电压范围为400-800V,最大输入直流电流为200A,最大输出连续功率为120kW,最大持续相电流为160A, 短时峰值功率为200kW/30s,短时峰值电流300A,使用SiC模块的三相逆变器在效...
直径80生长管套件、120-SIC托、4-碳化硅托-120°(第二次询价) 可报价开始时间:2024-07-26 00:00:00 可报价结束时间:2024-07-29 00:00:00 编号:*** 发布单位:*** 最终单位:*** 参与方式:公开询价 出价方式:一次性出价 付款方式:验收合格付款 是否必须加盖电子签章:否 保证金:100.0...
120kW高性能SiC仿真放大器 新年伊始,博电科技“120kW高性能SiC仿真放大器”成功在博普检测中心大功率实验室进行了额定功率连续运行试验和短时过载运行试验。目前该设备是国内功率等级最高、体积最小、性能最佳的开关型四象限放大器,已获海外订单。 BT100电池快速检测装置 博电科技推出自行车动力电池“1分钟”安全性快速...
B3M040120Z作为一款国产SiC MOSFET,其产品力及与国内外竞品的对比如下:倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级!倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮
新品发布——6H002D120T1P 在电动汽车中,主逆变器起着举足轻重的作用,是各大车企新能源车型平台的核心技术。中恒微的“Drive Z3”产品系列,近日再添一员大将——采用全SiC 技术的三相全桥拓扑结构的车规级功率模块—Drive Z3-SiC_6H002D120T1P。
(可选)安装SIM卡到单板-SIC 背景信息 此安装方式适用于SIC-3G/LTE功能的单板,安装SIM卡到单板的方法相同,此处以安装SIM卡到3G-HSPA+7单板举例说明。 不建议使用卡套形式,以防止SIM卡接触不良。 设备不支持热插拔SIM卡。重新拔插SIM卡后需要重启射频模块或者重启设备。 设备SIM卡拔出或安装完成后,必须确保SIM卡的...