阻断电压(V) 1200 25℃下的漏源通态电阻 (mΩ) 32 额定电流 (A) 63 封装 TO-247-4 类目 二极管 批号 2021+ 数量 6726 发货地 深圳 最小包装 50 售后 支持 支持车载 否 交期 1-3天 安装类型 直插 品牌 CREE科锐 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活...
阻断电压(V) 1200 25℃下的漏源通态电阻 (mΩ) 21 额定电流 (A) 100 封装 TO-247-4 类目 二极管 批号 2024+ 数量 5626 发货地 深圳 最小包装 50 交期 1-3天 支持车载 否 售后 支持 工作温度范围 175 恢复 10秒 品牌 CREE科锐 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交...
SiC功率模块有助于提升系统工作频率,降低无源元件尺寸,提升系统功率密度,正获得越来越广泛的应用,SiC MOSFET的市场份额也在逐年快速增长。文件未Rohm 1200V/100A的多芯片并联半桥模块,文件为solidworks2018版本,可编辑,欢迎下载。
例如,在2012年11月, Cree公司宣布推出业界首个符合安全认证的SiC模块(CAS100H12AM1 1200V, 100A SiC MOSFET module)如图1所示。该半桥模块尺寸为50mm×90mm×25mm,内部包括:五个1200V,80mΩ,第一代SiC MOSFETs(CPMF-1200-S080B)和五个1200V,10A的第二代SiC肖特基二极管(CPW2-1200-S010B)。与传统的铜铝基...
最大1200V/100A导通电阻4mΩcm²垂直GaN功率晶体管的开发及与硅IGBT成本相同的工艺技术; 先进的键合和剥离技术可通过干法蚀刻去除硅衬底和缓冲层,通过激光剥离和背面功率金属化实现蓝宝石衬底剥离和欧姆接触形成; 开发功率晶体管组装和互连技术开发,相应的可靠性表征; ...
免费查询更多sic模块 1200v详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息等,您还可以发布询价信息。
450TXW18MEFR8X45 RUBYCON 持证代理 450V18μF 8mmX45mm 寿命12000小时 ¥ 0.09 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: SanRex/日本三社 封装: 模块 批号: 2023+ 数量: 10 电压: 1200V 电流: 100A RDS: 6.8mR 代理: 百硅18948196369 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交...
“世纪金光”碳化硅6英寸单晶已量产；功率器件和模块制备已覆盖额定电压650-1700V、额定电流5-100A的碳化硅肖特基二极管（SBD），额定电压650-1200V、额定电流20-100A的金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），50-600A的全桥、半桥混合功率模块及全碳化硅功率模块等。在终端应用方面，世纪金光碳化硅功率器件已经成熟...
百度爱采购为您提供2020年美国cree sic mosfet 1200v 100a专区,包括美国cree sic mosfet 1200v 100a热门商品专区、美国cree sic mosfet 1200v 100a热门供应商专区、美国cree sic mosfet 1200v 100a优质问答专区、美国cree sic mosfet 1200v 100a优质图片专区、美国cree sic
尤其是用于主逆变器的1200V/100A高压、大电流SiC MOSFET芯片,代表了当前SiC电力电子芯片技术的最高水平,全球范围内具备批量供货能力的厂家屈指可数。我所经过多年的技术积累和艰苦攻关,突破多项关键技术,完成了车规级1200V/100A SiC MOSFET芯片产品批量生产,导通电阻小于13mΩ,实现了160mΩ、80mΩ、40mΩ、25m...