近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。当前，碳化硅（SiC）晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底（即“高质量”衬底）的成品率通常仅为40%-60%。在6-...
本次获奖产品NSF030120D7A0是闻泰科技半导体业务于2024年5月推出的一款基于碳化硅的1200V功率MOSFET。该产品在各个方面亮点颇多,多项关键指标在同类型产品中脱颖而出。 凭借出色的温度稳定性、高开关速度和高短路耐用性等诸多优势,公司1200V SiC MOSFET产品已成为电动汽车充电、基础设施、光伏逆变器和电机驱动等领域的...
美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海 — 2024年6月28日— 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助...
表1. 分立封装中的1200V碳化硅MOSFET(工业级为'T'，车规级为'V'，AEC−Q101)M3S(第二代)对比SC1(第一代)的主要特征本节介绍与第一代(NTH4L020N120SC1、1200 V/20 m、TO247−4L)相比，第二代(NTH4L022N120M3S、1200 V/22 m、TO247−4L)的主要特性。测试使用标准样品在同一试验台下，使用相...
纳芯微全新推出1200V系列SiC二极管产品，该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。其在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均能展现出卓越的效率特性，完美满足中高压系统的需求。SiC二极管相较于传统硅基二极管具备明显优势1. 几乎零反向恢复电流如下图所示，SiC二极管的反向恢复电流几乎为零，明显优...
光伏风电和储能也是SiC快速发展的重要推动力。同时叠加“双碳”战略的推动，给SiC市场带来了巨大的潜力。Yole Group预测，到2029年，功率SiC器件市场将达到近100亿美元。对于汽车领域来说，为了克服电车续航里程和充电速度上的两大短板，电动汽车行业正加速升级电池系统。功率更高的电压系统需要1200V的耐压功率芯片，所以...
CREE科锐 SiC碳化硅mosfet C3M0032120K 1200V 100A 32mΩ 更新时间:2024年07月01日 数智集采,工业好物狂欢趴!填写信息即可参与抽奖哦! 价格 ￥1.00 起订量 1个起批 货源所属商家已经过真实性核验1人想买 物流 广东 深圳 至 请选择 地区选择后自动计算运费 C3M0032120K TO-247-4 1元 6726个...
在体二极管正向应力测试下,对来自六家不同制造商的商用 1200 V SiC MOSFET(其中两家采用沟槽栅极结构,四种采用平面栅极结构)进行了检查。实验结果表明,随着 V SD的增加和反向恢复电流峰值的降低,双极退化。当应用于具有栅极沟槽结构的 DUT 时,效果似乎更明显。在相同的测试条件下,V SD -T 技术中平面 SiC MOSFET ...
在电动汽车领域，车规级1200V SiC自研模块正在研制中，对应的银烧结工艺已通过可靠性验证。在封装市场，SiC混合模块已在新能源汽车、UPS电源等领域应用。同时，1200V SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证并实现小批量出货；自主研发的SiC SBD（肖特基势垒二极管）芯片通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，部分...
东芝电子今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。最新TRSxxx120Hxx系列...