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光伏风电和储能也是SiC快速发展的重要推动力。同时叠加“双碳”战略的推动，给SiC市场带来了巨大的潜力。Yole Group预测，到2029年，功率SiC器件市场将达到近100亿美元。对于汽车领域来说，为了克服电车续航里程和充电速度上的两大短板，电动汽车行业正加速升级电池系统。功率更高的电压系统需要1200V的耐压功率芯片，所以1...
正向电压(Vf) 1200V-1700V 封装 TO-247 正向电流(If) 115A 数量 8650 应用领域 新能源 批号 2024+ 最小包装 2 发货地 深圳 安装类型 直插 交期 1-3天 支持车载 否 售后 支持 恢复 10秒 品牌 CREE/科锐 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...
型号 瞻芯1200V 17mΩ 类型 双N沟道,肖特基 工作温度 -55 to 175 °C 包装 盒装 认证机构 AEC-Q101 最小包装量 500 漏源电压 1200v 最大直流栅源电压 -5 至 22 V 最大尖峰栅源电压 -10 至 25 V 推荐使用的开通栅源电压 20±0.5 V 最大漏源电流 111 A 最大脉冲漏源电流 277A...
安森美第二代1200V碳化硅MOSFET分为两种核心技术，一种是T设计，另一种是S设计。T设计主要针对逆变器，因此需要更低的RDS(ON)和更好的短路能力，而不是更快的开关速度。S设计对高开关性能进行了优化，因此设计具有较低的QG(TOT) 和较高的di/dt和dv/dt，从而降低开关损耗。M3S产品分为13/22/30/40/70mΩ，...
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。纳芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能...
型号 瞻芯电子SiC MOSFET1200V 80mΩ 导通电阻 80 至100 mΩ 工作温度 -55 to 175 °C 包装 盒装 最小包装量 500 漏源电压 1200v 最大直流栅源电压 -5 至 22 V 最大尖峰栅源电压 -10 至 25 V 推荐使用的开通栅源电压 20±0.5 V 最大漏源电流 42A 最大脉冲漏源电流 70A 最大...
近日，昕感科技面向新能源领域推出一款重量级SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0），实现了业界领先的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。众所周知，对于电动汽车来说，电驱动系统是最为核心的部分。而在电机驱动系统中，MOSFET通常作为电机逆变器的关键元件，将直流电源转换为交流电源，以驱动三相电机运转。在这过程中，从...
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纳芯微全新推出1200V系列SiC二极管产品,该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。其在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均能展现出卓越的效率特性,完美满足中高压系统的需求。 SiC二极管相较于传统硅基二极管具备明显优势 1.几乎零反向恢复电流 ...