SiC（碳化硅）相较于传统硅器件，能够显著降低损耗，因此在智能电网、新能源汽车中备受青睐。闻泰科技半导体业务积极布局第三代半导体领域，加速发力SiC技术，迎接未来广阔发展机遇。碳化硅（SiC）俗称金刚砂，是硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物。SiC晶体管是天然的E型MOSFET，导通电阻远低于硅MOSFET，因而能效更高。此外...
安森美碳化硅MOSFET也具有与硅MOSFET类似的pn结本征双极体二极管。由于材料的宽带隙特性,碳化硅MOSFET的正向电压相对高于硅MOSFET,因为pn结的内置电压更高。一般来说,IGBT芯片在封装内有一个额外的独立二极管,称为共封装或反并联,IGBT是单向器件,除非它是反向导通IGBT技术。因此,IGBT在共封装二极管的选择上有更多的选择,如...
深度解析nexperia 1200V SiC (碳化硅) MOSFET - 卓越的低正向电压 1543 -- 1:11 App 【MOSFET应用手册解读】如何在环境温度高于 25°C 时通过降额确定SOA性能 1547 -- 2:23 App 【浅析碳化硅】碳化硅二极管和硅二极管的开关性能比较 252 -- 1:22 App 安世半导体CCPAK1212封装解决方案,专为满足您的MOSFET设...
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近年来,为给其快速发展的新能源汽车业务提供功率器件产品支撑,比亚迪在SiC领域大力投资扩产。2023年6月消息,深圳市生态环境局公布了关于《比亚迪汽车工业有限公司碳化硅外延中试线量产项目环境影响报告书》受理公告。 公告显示,比亚迪拟在深圳市坪山区比亚迪汽车生产基地建设SiC外延中试线量产项目,总投资约2.14亿元,扩建后...
瞻芯电子工规碳化硅MOS功率模块Easy 2B封装1200V 6mΩ光伏储能电源 ￥1.00 本店由搜了网运营支持 获取底价 上海奥思维尔电子有限公司 商品描述 价格说明 联系我们 获取底价 商品描述 价格说明 联系我们 型号 IVDC121M6HA3Z 封装/规格 DCM 包装 盒装 最小包装量 1 类型 模块 漏源电压(Vdss) 1200V ...
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闻泰科技发力碳化硅领域,1200V SiC MOSFET强劲助力电动汽车加速发展 SiC(碳化硅)相较于传统硅器件,能够显著降低损耗,因此在智能电网、新能源汽车中备受青睐。闻泰科技半导体业务积极布局第三代半导体领域,...
在当今快速发展的电子领域，高效、可靠的功率器件对于各类电子设备的性能提升起着至关重要的作用。其中，车载充电器领域迎来了一款极具创新性和高性能的产品——1200V 大功率碳化硅 MOS 管（S1M032120H）。这款车载充电器 SiC MOSFET 具备众多卓越的特点。首先，其高速切换的特性使得电能转换更加迅速和高效，大大缩短...