中国碳化硅（SiC）功率器件应用在新能源汽车类占比第一，达38% 通过可视化图表分析，我们可以直观的了解到碳化硅（SiC）的成本结构情况。从它的制造成本结构来看，衬底成本占比是最大，其次是外延成本的占比。可以发现这两大工序是产业发展的主要环节，而它们的制备难度非常大，技术以及成本也非常高。碳化硅（SiC）衬底...
碳化硅(SiC)是一种具有优异物理特性的半导体材料,其高电子饱和迁移率、高热导率、高击穿场强和高电子饱和迁移率等特点使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。碳化硅功率器件作为一种新型的电力电子器件,具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点,在电动汽车、新能源发电、智能电网等领域得到了广泛应用。本文将详细介绍碳...
随着电力电子技术的快速发展,碳化硅(SiC)功率器件作为新一代半导体材料,正在引发一场革命。与传统的硅(Si)器件相比,碳化硅器件具有更高的耐压、更低的导通电阻、更高的工作温度以及更快的开关速度等优点,使得其在电动汽车、可再生能源、轨道交通等领域的电力转换系统中具有巨大的应用潜力。 一、碳化硅功率器件的优势 ...
而SiC SBD额定电压可以达到1200V,而SiC基MPS、JBS、 PiN等器件的耐压则更高。SiC二极管在UPS、太阳能逆变器、储能和汽车等应用中大受欢迎,例如光伏逆变器中几乎全面用SiC二极管替代硅产品,这种较小的改变,可以实现系统效率的大幅提升,而且通过减少外围器件、缩小被动器件尺寸实现系统体积和成本的压缩。 按导电机理,SiC...
碳化硅(SiC)由于其独特的物理及电子特性, 在一些应用上成为最佳的半导体材料: 短波长光电器件, 高温, 抗幅射以及高频大功率器件,其主要特性及与硅(Si)和砷化镓(GaAs)的对比如下。 宽能级(eV): 4H-SiC: 3.26 6H-Sic: 3.03 GaAs: 1.43 Si: 1.12
随着科技的不断进步，碳化硅（SiC）作为一种新型的半导体材料，在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力，将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势应用以及发展趋势。一、碳化硅功率器件的优势碳化硅功率器件具有高频率、高效率、高耐压和高耐流等优势，使得其在...
近20多年来，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作为一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度，抗辐照能力得到提升；碳化硅材料击穿电场是硅的 10 倍，因此，其器件可设计更高的掺杂浓度及更薄的外延厚度，...
SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。 相比传统的硅材料,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍,导热率是硅的4-5倍,击穿电压是硅的8-10倍,饱和电子漂移速率是硅的2-3倍。 碳化硅器件的核心优势在于: ...
SiC功率器件在汽车领域的应用增加 SiC功率器件在汽车领域的应用增加 电动汽车和充电站对高电压和在炎热恶劣环境中工作的能力提出了越来越高的要求，但由于这种宽带隙材料的制造和封装成本，碳化硅 （SiC） 需要时间才能在市场中站稳脚跟。碳化硅片技术需要升级。制造这些设备需要20%的新工艺工具和80%的修改工具。目标是...
碳化硅器件特性 碳化硅器件在具体应用场景中表现出的特性是:1、耐高温:硅基材料120°C场景需要散热，使用SiC在175°C结温不需要散热，可承受600°C以上高温环境。2、高压大功率:二极管600-1700V，MOS管800-3300V，如新能源车直流快充仅15分钟可完成80%。3、高频率:能量损耗减少了四分之三，转化率高，如提升了新...