工作和储存温度:-55° C 至 +150° C。 图1:JFET SJEP120R100A 及其引脚排列 在继续进行仿真之前,用户必须首先在 Internet 上搜索组件的 SPICE 模型,然后可以直接在所选仿真器中使用该模型。或者,可以使用万用表和示波器直接在设备上进行测量。 .subckt SJEP120R100 DGS .paramR=530m ; R_gate Rg G Gi...
图2示出了SiC器件的垂直横截面示意图，由图可知，SiC器件500包括第一负载电极310和碳化硅本体100，其中栅极结构150从碳化硅本体100的第一表面101延伸到碳化硅本体100中。然后形成在碳化硅本体100中的半导体区120、160、170电连接到第一负载电极310，而且半导体区120、160、170和源极区110可以直接形成相应的pn结。另外，...
SK powertech 热性能 1200V 电动汽车 SiC模块 PD040120LH2-G-2L PD040120LH2-G-2L 9998 SKPowerTech TO-247_2L NEW ￥14.9000元10~99 个 ￥14.5000元100~499 个 ￥13.9000元500~-- 个 深圳市浮思特科技有限公司 2年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 清纯S1P14R120SSE国产1200V/125A/14m欧姆si...
Sic MOSFET 主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸Sic MOSFET ,高压开关的突破.SCT30N120 、SCT5 ...
FFSH15120ADN-F155 SiC Diode, 1200V, 15A, TO-247-3, Common Cathode——S4D120V030D FFSP15120A SiC Diode, 1200V, 15A, TO-220-2 PCFFS15120AF SiC Diode, 1200V, 15A, Die FFSB20120A SiC Diode, 1200V, 20A, D2PAK FFSB20120A-F085 Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 12...
复购率:23% 深度验商 ￥93.2成交0笔 深圳市 快恢复二极管IXFN27N/50N120SK/SIC66N85X 52/70/74N100X/120SK 复购率:0% 深度验商 ￥161.5成交0笔 昆山市 达标 厂家直销 SS54 SMC DO-214AB 贴片肖特基二极管SIC现货供应 复购率:37% 深度验商
后续我们将稳步开展SiC产能建设和车规级SiC模块产线扩产。 转发,点赞,在看,安排一下 其他人都在看: 助推SiC创新,120+企业齐上阵 9款SiC车型扎堆上市,800V占比超50% 100+企业!SiC / GaN / IGBT 最新技术都在这里
在TechInsights早前发布的文章《3.3kV SiC准备好成为主流了吗?》中,我们讨论了功率半导体市场在过去几年中是如何发展的,从第一个商用3.3 kV碳化硅(SiC) SiC MOSFET (在TechInsights发布的SiC power Floorplan报告中分析的GeneSiC G2R120MT33J[1])到2023年主流市场接受的风口浪尖。我们邀请了PGC咨询公司的Peter Gammo...
原装S1M040120H清纯半导体1200V 40A碳化硅MOS管 封装TO247-4L 深圳市华瑞拓科技有限公司6年 深圳市宝安区 ¥28.40成交0笔 MOS晶体管 SCT2080KE 直插 TO247 40A 1200V 碳化硅三极管 原装 深圳市福田区西伦微电子经营部9年 深圳市福田区 ¥42.50成交0笔 ...
据不完全统计,截至2023年上半年,全球已有40款SiC车型进入量产交付,结合公开数据统计,上半年全球SiC车型销量超过120万辆。值得注意的是,目前SiC核心器件主要由欧美企业供应,中国少数本土企业开始崭露头角,而日本车企偏向于选择日本供应商。相比IGBT,SiC功率器件具有更高开关速度、更低开关损耗、更高效率和耐用性等特点,...