安海半导体据悉在2022年成为国内第一家量产Trench MOS的企业,目前申请的Trench SiC MOSFET结构专利已获批,美国专利正在申请中; 据我目前的消息了解到:各大国产厂商都在积极布局沟槽型SiC MOSFET。 沟槽型到底赚不赚钱?Yole发布的信息显示,平面MOSFET公司在利润丰厚的动力传动系统逆变器业务中取得了更大的成功,而罗姆和...
可以看到,CoolSiC™ MOSFET 栅氧化层厚度为70nm,与Si器件相当。而其它平面型SiC MOSFET栅氧化层厚度最大仅为50nm。如果施加同样的栅极电压,平面型的SiC MOSFET栅氧化层上的场强就要比沟槽型的器件增加30%左右。 而且,CoolSiC™ MOSFET阈值电压约为4.5V,在市面上属于比较高的值。这样做的好处是在桥式应用中,...
为了解决这个问题英飞凌科有限公司的碳化硅MOSFET 产品CoolSiC采用了不同的门极结构，该结构称为沟槽型（Trench）碳化硅MOSFET，其门极结构如下图所示。采用此结构后，碳化硅MOSFET的通道电阻不再与门极氧化层强相关，那么可以在保证门极高靠可行性同时导通电阻仍旧可以做到极低。GaN晶体管结构 与硅材料的功率半导体不同...
中车的第四代沟槽型SiC MOSFET产品时间节点是2025年,同时布局最新的第五代“多级沟槽P+”电场掩蔽技术,预计第五代沟槽型SiC MOSFET产品时间节点是2027年; 安海半导体据悉在2022年成为国内第一家量产Trench MOS的企业,目前申请的Trench SiC MOSFET结构专利已获批,美国专利正在申请中; 据我目前的消息了解到:各大国产厂...
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗? 众所周知,“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代,英飞凌的沟槽型IGBT(例如TRENCHSTOP™系列)和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代,市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞,而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”,就不会干别的了吗?非也。因为SiC...
为了解决这个问题碳化硅MOSFET 产品CoolSiC采用了不同的门极结构,该结构称为沟槽型(Trench)碳化硅MOSFET,其门极结构如图10所示。采用此结构后,碳化硅MOSFET的通道电阻不再与门极氧化层强相关,那么可以在保证门极高靠可行性同时导通电阻仍旧可以做到极低。 图9:平面型碳化硅MOSFET结构示意图...
从MOSFET功率器件的发展历史看,大致可以将其分为平面型(planar)和沟槽型(trench)两种结构。 下图所示为平面型MOSFET的典型结构,栅极处于晶圆表面。该结构是在20世纪70年代末被提出,并一直使用到现在。工艺上,先进行P-body的注入和退火,然后进行N+的注入和退火,通过控制横向扩散的长度来形成沟道。该结构因为漏极在下...
Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能给大家带来...
Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异,Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂,不如加入自己的理解,重新梳理一遍,希望能给大家带来更多有...
生产、销售及应用服务。其产品覆盖高性能、高可靠性的全系列SJ-MOSFET、中压MOSFET，以及新一代SUPER-IGBT和第七代Trench FS IGBT。此外，公司还推出了车规级的高压SiC MOSFET/SBD，广泛应用于光伏逆变、PCS、充电桩、OBC、BMS、MPPT、电机驱动、变频器、工业电源、适配器、家电等多个领域。