中车的第四代沟槽型SiC MOSFET产品时间节点是2025年,同时布局最新的第五代“多级沟槽P+”电场掩蔽技术,预计第五代沟槽型SiC MOSFET产品时间节点是2027年; 安海半导体据悉在2022年成为国内第一家量产Trench MOS的企业,目前申请的Trench SiC MOSFET结构专利已获批,美国专利正在申请中; 据我目前的消息了解到:各大国产厂...
中车的第四代沟槽型SiC MOSFET产品时间节点是2025年,同时布局最新的第五代“多级沟槽P+”电场掩蔽技术,预计第五代沟槽型SiC MOSFET产品时间节点是2027年; 安海半导体据悉在2022年成为国内第一家量产Trench MOS的企业,目前申请的Trench SiC MOSFET结构专利已获批,美国专利正在申请中; 据我目前的消息了解到:各大国产厂...
具体来看，三安光电预计在2025年Q1推出沟槽型SiC MOSFET产品；中车则在2025年布局第四代沟槽型SiC MOSFET，并计划在2027年推出第五代“多级沟槽P+”电场掩蔽技术；而安海半导体已在2022年成为国内首家量产Trench MOS的企业，其申请的Trench SiC MOSFET结构专利已获批准，美国专利申请也在进行中。此外，各大国产厂商都在...
从MOSFET功率器件的发展历史看,大致可以将其分为平面型(planar)和沟槽型(trench)两种结构。 下图所示为平面型MOSFET的典型结构,栅极处于晶圆表面。该结构是在20世纪70年代末被提出,并一直使用到现在。工艺上,先进行P-body的注入和退火,然后进行N+的注入和退火,通过控制横向扩散的长度来形成沟道。该结构因为漏极在下...
为了解决这个问题英飞凌科有限公司的碳化硅MOSFET 产品CoolSiC采用了不同的门极结构，该结构称为沟槽型（Trench）碳化硅MOSFET，其门极结构如下图所示。采用此结构后，碳化硅MOSFET的通道电阻不再与门极氧化层强相关，那么可以在保证门极高靠可行性同时导通电阻仍旧可以做到极低。GaN晶体管结构 与硅材料的功率半导体不同...
当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类,是按照栅极沟道的形状来区分的,平面型和沟槽型。 如上图,左边是一颗典型的平面SiC MOSFET芯片(宏观图)其中G区是栅极焊盘(gate pad),也就是引出栅极引线的地方,起控制作用。 AA是有源区(active area),其中AA的正面是源级区(source),键合源级引线过大电流; ...
在硅和碳化硅功率MOSFET领域, 我们可以根据它们的栅极结构分成两类:平面结构和沟槽结构。 图1.平面MOSFET(左)和沟槽MOSFET(右)典型结构1 相比较于传统平面型(planar)结构,沟槽(trench)SiC MOSFET能发挥压缩元胞尺寸、消除JFET电阻、提高沟道迁移率等优势,可以降低器件的比导通电阻,具有广泛的应用前景。但当下沟槽SiC ...
生产、销售及应用服务。其产品覆盖高性能、高可靠性的全系列SJ-MOSFET、中压MOSFET，以及新一代SUPER-IGBT和第七代Trench FS IGBT。此外，公司还推出了车规级的高压SiC MOSFET/SBD，广泛应用于光伏逆变、PCS、充电桩、OBC、BMS、MPPT、电机驱动、变频器、工业电源、适配器、家电等多个领域。
特斯拉刚结束的投资人日虽然没有任何新车动态,引发市场的失望声浪,但他宣布要在下一代电动汽车平台上缩减75%的碳化硅(SiC)用量,却成了业界最关注的消息。对此,TrendForce认为,未来电动汽车主逆变器将可能朝SiC/Si IGBT的混合封装发展,同时,SiC MOSFET的技术可能将由Planar结构转向Trench结构。
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗? 众所周知,“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代,英飞凌的沟槽型IGBT(例如TRENCHSTOP系列)和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代,市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞,而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”,就不会干别的了吗?非也。因为SiC材料...