SiC 基MOSFET可广泛地应用于并网逆变器、双有源桥双向直流变换器、电动汽车充电器、三相电机驱动器、固态断路器等领域;通过减小无源元件体积,可降低损耗和散热器体积,并极大程度上提高变换器的功率密度和工作频率。Trench MOSFET采用腐蚀挖沟槽的方法将平面型VD-MOSFET的“T”字形导电通路缩短为两条平行的垂直型导电通路...
在硅基产品时代,英飞凌的沟槽型IGBT(例如TRENCHSTOP™系列)和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代,市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞,而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”,就不会干别的了吗?非也。因为SiC材料独有的特性,SiC MOSFET选择沟槽结构,和IGBT是完全不同的思路。咱们一起来...
通常的MOSFET体二极管阳极都是由P基区充当,深P阱的注入浓度和深度都高于P基区,可以使体二极管导通压降更低,抗浪涌能力更强。 好的,CoolSiC™ MOSFET就先介绍到这里了。CoolSiC™ MOSFET不是单纯的沟槽型MOSFET,它在独特的晶面上形成沟道,并且有非对称的深P阱结构,这使得CoolSiC™ MOSFET具有较低的导通电阻,...
Infineon’s unique CoolSiC™ MOSFET adds additional advantages. Superior gate oxide reliability enabled by state-of-the-art trench design, best in class switching and conduction losses, highest transconductance level (gain), a threshold voltage of Vth = 4V and short-circuit robustness. This is ...
AN2017-46 1200 V CoolSiC™ MOSFET: Trench technology essentials About this document Scope and purpose The benefits of wide bandgap silicon carbide (SiC) semiconductors arise from their higher breakthrough electric field, larger thermal conductivity, higher electron-satu...
工艺+器件仿真助力SiCTrench MOSFET模型的开发-SiC 基MOSFET可广泛地应用于并网逆变器、双有源桥双向直流变换器、电动汽车充电器、三相电机驱动器、固态断路器等领域;通过减小无源元件体积,可降低损耗和散热器体积,并极大程度上提高变换器的功率密度和工作频率。Trench M
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以下,作为它们的一个例子,示出sic肖特基势垒二极管(sbd:schottkybarrierdiode)、sic沟槽栅(t:trench)型金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet:metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor)、及sic平面栅型mosfet的例子。 (sic-sbd) 利用实施方式所涉及的sic外延晶圆来制作的sic-sbd21的示意截面构造,如图34所示那样显示。
本发明提供了一种SiC Trench MOSFET器件的制造方法,包括:提供一衬底;在衬底上依次形成缓冲层,第一外延层以及第一栅氧层;其中,第一外延层包括一凹槽;第一栅氧层形成于凹槽中;形成第二外延层,体区离子注入层,源区离子注入层,p型离子注入层,p+型离子注入层,第二栅氧层,栅极沟槽,栅极,层间介质层,接触孔以及...
该方案可助数据中心减少约 1%的电力损耗。 T10PowerTrench 系列专为处理大电流设计,提供更高功率密度和卓越热性能。 新一代碳化硅 MOSFET 栅极电荷减半,输出电容和输出电荷能量均减少 44%。 该组合解决方案符合 ORV3 基本规范,支持下一代大功率处理器。