SiC双沟MOSFET结构是一种在半导体表面上两种型号沟隙(drain trench和source trench)技术。这类结构主要由三部分组成,它们分别是基底层、沟隙层和硅沟底层。基底层负责连接MOSFET到电源电压,而沟隙层提供一种重要的沟隙,它们负责有效抑制漏电。硅沟底层安装在沟隙上,它充当一个介质电子手柄,有效控制沟隙的大小。通过...
因此本领域需一种新的SiC Trench MOSFET器件及其制备方法,以有效地保护沟槽底部的栅氧化层,提高器件的可靠性。 02 方案内容 为解决上述现有技术中栅氧化层拐角处容易集中电场造成栅氧化层被击穿的不足,芯达茂设计了一种SiC Trench MOSFET器件制备方法。芯达茂采取多次不同角度不同浓度的斜注入方式,会形成如示意图1...
Simulations have concentrated on optimizing the p-type doping concentration at the trench bottom, to keep the breakdown electric field in the oxide under its critical value. The trench depth was also examined and optimized to give a better on-state performance. For the MOSFET structure examined, ...
SiC 基MOSFET可广泛地应用于并网逆变器、双有源桥双向直流变换器、电动汽车充电器、三相电机驱动器、固态断路器等领域;通过减小无源元件体积,可降低损耗和散热器体积,并极大程度上提高变换器的功率密度和工作频率。Trench MOSFET采用腐蚀挖沟槽的方法将平面型VD-MOSFET的“T”字形导电通路缩短为两条平行的垂直型导电通路...
这些晶体管具有更高的阻断电压、更好的热导率、更低的on-state电阻,并且击穿强度约比常规硅MOSFET大10倍。由于减少的开关损耗,它们提供了高效率,并实现了高功率密度。相比传统的基于硅的MOSFET,它们具有多个优势。 Infineon CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET - IMBG120R090M1H ...
同时，TrendForce也认为，特斯拉下一代电动汽车关键SiC MOSFET技术可能将由Planar结构转向Trench结构，目前以英飞凌、罗姆、博世为Trench SiC MOSFET主要供应商。上述技术的改变将大幅缩减SiC成本，降低整车系统复杂性与成本，进而推动SiC在中低端车型中的渗透，但可能会对Si IGBT造成一定冲击。作为电动汽车用SiC市场的最大...
再等二十年?—业界第五代深掩蔽SiCTrenchMOSFET研发布局初探 一个碳化硅芯片业余爱好者的学习笔记。文献整理,业界新闻,偶有所得,天马行空。本公众号属于个人学习笔记,仅为个人业余兴趣爱好,不涉及任何商业目的。文中如果有引用不规范的地方敬请见谅。有人的爱好是养花养草唱歌钓鱼,也有人喜欢写Twiter博客抖音,我最近...
摘要 本发明提供了一种SiC Trench MOSFET器件的制造方法,包括:提供一衬底;在衬底上依次形成缓冲层、第一外延层以及第一栅氧层;其中,第一外延层包括一凹槽;第一栅氧层形成于凹槽中;形成第二外延层、体区离子注入层、源区离子注入层、p型离子注入层、p+型离子注入层、第二栅氧层、栅极沟槽、栅极、层间介质层...
本次展会深鸿盛带来的主要产品有:多层外延超结MOS(Multi-epi CoolFET )、平面MOS、中低压SGT&Trench MOS、碳化硅MOS、碳化硅肖特基二极管(SiC Schottky Diodes)、超快恢复整流二极管(FRED)、IPM模块等,以满足各应用领域客户的需求。 原厂动态 发布时间 : 2024-07-16 HI-SEMICON(深鸿盛)场效应管(MOSFET)选型表...
特斯拉刚结束的投资人日虽然没有任何新车动态,引发市场的失望声浪,但他宣布要在下一代电动汽车平台上缩减75%的碳化硅(SiC)用量,却成了业界最关注的消息。对此,TrendForce认为,未来电动汽车主逆变器将可能朝SiC/Si IGBT的混合封装发展,同时,SiC MOSFET的技术可能将由Planar结构转向Trench结构。