This training will introduce you to the gate oxide reliability of CoolSiC™ MOSFETs and how Infineon's design enables the effective screening of defects by opting for a trench MOSFET. Additionally, you will understand how this decision has allowed Infineon to achieve high reliability that surpasses...
SiC 基MOSFET可广泛地应用于并网逆变器、双有源桥双向直流变换器、电动汽车充电器、三相电机驱动器、固态断路器等领域;通过减小无源元件体积,可降低损耗和散热器体积,并极大程度上提高变换器的功率密度和工作频率。Trench MOSFET采用腐蚀挖沟槽的方法将平面型VD-MOSFET的“T”字形导电通路缩短为两条平行的垂直型导电通路...
SiC 基MOSFET可广泛地应用于并网逆变器、双有源桥双向直流变换器、电动汽车充电器、三相电机驱动器、固态断路器等领域;通过减小无源元件体积,可降低损耗和散热器体积,并极大程度上提高变换器的功率密度和工作频率。Trench MOSFET采用腐蚀挖沟槽的方法将平面型VD-MOSFET的“T”字形导电通路缩短为两条平行的垂直型导电通路...
同时，TrendForce也认为，特斯拉下一代电动汽车关键SiC MOSFET技术可能将由Planar结构转向Trench结构，目前以英飞凌、罗姆、博世为Trench SiC MOSFET主要供应商。上述技术的改变将大幅缩减SiC成本，降低整车系统复杂性与成本，进而推动SiC在中低端车型中的渗透，但可能会对Si IGBT造成一定冲击。作为电动汽车用SiC市场的最大...
对此,TrendForce认为,未来电动汽车主逆变器将可能朝SiC/Si IGBT的混合封装发展,同时,SiC MOSFET的技术可能将由Planar结构转向Trench结构。 特斯拉会在这次投资人大会中提到未来将减用SiC计划,TrendForce分析,应该与SiC可靠性以及供应链的稳定性确实令其信心不足有关,特别是过去几年中曾因此出现过Model 3召回事件,当时官...
从平面栅厂家的最新发布数据中,平面栅的最新一代技术也在不断优化沟道电阻,优化后的平面栅,也被发现其最新技术的温度漂移会比上一代更明显。伴随更多的碳化硅器件厂家开始转向沟槽栅Trench技术,导通电阻的温度漂移现象会越来越常见。 理解温度漂移本身只是理解了参数现象,最终我们还是要解决客户的实际使用问题。为了便于...
Trench structure and dopant parameters A half cell cross-section of a SiC trench MOSFET is shown in Fig. 1. This structure would be fabricated on a 4H–SiC wafer with 10 μm thick epitaxial layer (n− drift) grown on top of a heavy doped n+ substrate, followed by another 1.2 μm ...
CoolSiC 1200V Gen2 Trench MOSFET PLECS model 01_04 | 2025-01-27 | 115 KB Download ShareEN 服务 服务 Infineon Academy learning platform Infineon Read More More than 600 trainings on Infineon products and applications available 24/7 (free of charge) 支持 下面是6个常见问题回答。使用上方搜索...
trench MOSFEToptimizationp+ shielding regionparasitic JFETCSLIn a trench MOSFET structure, p+ trench bottom implant (also called p+ shielding region) is commonly used to protect the gate oxide from high electric field stress, however, if the design and fabrication process are not optimized properly...
再等二十年?—业界第五代深掩蔽SiCTrenchMOSFET研发布局初探 一个碳化硅芯片业余爱好者的学习笔记。文献整理,业界新闻,偶有所得,天马行空。本公众号属于个人学习笔记,仅为个人业余兴趣爱好,不涉及任何商业目的。文中如果有引用不规范的地方敬请见谅。有人的爱好是养花养草唱歌钓鱼,也有人喜欢写Twiter博客抖音,我最近...