碳化硅(SiC),顾名思义,是由碳元素和硅元素组成的一种半导体材料。通常,市场上大多见到的半导体芯片等基本都以硅为主要原材料。而碳化硅(SiC)能用来做半导体材料,主要是其具有耐高温、耐高频、耐高压的特性。 前段时间,某汽车技术发布会隆重召开,负责人在台上重点讲解了技术优势,其...
SiC,SiC是什么意思 SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vs...
近年来，SiC 已成为半导体行业的重要角色，为 MOSFET、肖特基二极管以及用于高功率、高效率应用的功率模块供电。SiC 虽然比硅 MOSFET 更昂贵（硅 MOSFET 通常受限于 900V 的击穿电压），但 SiC 可实现接近 10kV 的电压阈值。SiC 还具有极低的开关损耗，能够支持高工作频率，从而实现目前无与伦比的效率，尤其是在工...
半导体碳化硅(SIC)深入认知的详解; 半导体碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物,属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用,甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低...
碳化硅是由美国人艾奇逊在 1891 年电熔金刚石实验时,在实验室偶然发现的一种碳化物,当时误认为是金刚石的混合体,故取名金刚砂。研究出来了工业冶炼碳化硅的方法,也就是艾奇逊炉,一直沿用至今。 最早商业化碳化硅产品的是美国的 CREE 公司。2002 年 CREE 推出商用肖特基二极管、2011 年推出商用碳化硅 MOSFET 是行业两...
由于碳化硅的硬度和脆性,就需要用更多的能量、更高的温度和更多的时间来结晶和加工。此外,“4H-SiC”(最广泛使用的SiC结构)的高透明度和高折射率,也使得难以检查材料是否存在可能影响最终器件良率或外延生长的表面缺陷。因此,SiC晶圆的成本是同等级硅晶圆成本的3倍。
碳化硅（SiC）的性能和应用 碳化硅(SiC)又称金刚砂，天然的很少，工业上用的都为人工合成原料。它有两种晶型：低温形态的β-SiC，属于立方结构，高温形态的α-SiC，属于六方结构。其真密度为3.21g/cm3，分解(升华)温度为2600℃。它是一种硬质材料，其莫氏硬度为9.2。SiC的热膨胀系数不大，在25℃~1400℃范围...
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为...
SIC相对于SI有哪些优势？从本质上讲，碳化硅（SiC）被认为是一种宽带隙半导体，与传统的硅半导体相比，它具有固有的优势。SiC的这些材料特性可带来更高的性能：细分领域电子漂移速度导热系数 细分领域 更高的击穿场允许器件在给定区域承受更高的电压。这使得器件设计人员能够在相同的芯片尺寸下增加用于电流流动的面积，...
SiC晶体材料的主流生长技术有物理气相输运法、高温溶液法和高温化学气相沉积法。 SiC材料这几年关注的人越来越多,逐渐从幕后走到了台前,技术的进步少不了那些研发SiC材料的科技工作者夜以继日。 在8年前,人们都还不太关注SiC材料时,一家公司已经看到了这种材料的优势,并...