碳化硅(SiC),顾名思义,是由碳元素和硅元素组成的一种半导体材料。通常,市场上大多见到的半导体芯片等基本都以硅为主要原材料。而碳化硅(SiC)能用来做半导体材料,主要是其具有耐高温、耐高频、耐高压的特性。 前段时间,某汽车技术发布会隆重召开,负责人在台上重点讲解了技术优势,其...
与Si材料相比,SiC的击穿场强是Si的十倍多,因此SiC器件的阻断电压比Si器件高很多。 3)、低损耗 一般而言,半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比,故在相似的功率等级下,SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且SiC器件导通损耗对温度的依存度很小,SiC器件的导通损耗 随温度的变化很小,这与传统的Si器件也有很大差别。
碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术的详解; 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(C),其基本结构单元为Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体,就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子(硅也可以)形成最紧密堆积层,叫做A层。这时候会有两种位...
在现代电子技术迅速发展的背景下,硅碳化物(Silicon Carbide,简称SiC)芯片作为一种新兴的半导体材料,逐渐受到广泛关注。SiC芯片以其独特的物理和化学特性,正在推动着电力电子、汽车、航空航天等多个领域的技术进步。 SiC的基本特性 SiC是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度约为3.3电子伏特(eV),远高于传统硅(Silicon,Si)材...
碳化硅（SiC）的性能和应用 碳化硅(SiC)又称金刚砂，天然的很少，工业上用的都为人工合成原料。它有两种晶型：低温形态的β-SiC，属于立方结构，高温形态的α-SiC，属于六方结构。其真密度为3.21g/cm3，分解(升华)温度为2600℃。它是一种硬质材料，其莫氏硬度为9.2。SiC的热膨胀系数不大，在25℃~1400℃范围...
SiC(碳化硅)功率器件是一种基于碳化硅材料制造的功率半导体器件,它是继硅(Si)和氮化镓(GaN)之后的第三代半导体材料的重要应用之一。SiC以其优异的物理和化学特性,如高绝缘击穿场强度、宽禁带、高热导率等,在电力电子领域展现出巨大的潜力和广泛的应用前景。
SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)构成的化合物半导体材料。表1-1列出了各种半导体材料的电气特征,SiC的优点不仅在于其绝缘击穿场强(Breakdown Field)是Si的10倍,带隙(Energy Gap)是Si的3倍,而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的P型、N型控制,所以被认为是一种超越Si极限的用于制造功率器件的材料。
SIC相对于SI有哪些优势？从本质上讲，碳化硅（SiC）被认为是一种宽带隙半导体，与传统的硅半导体相比，它具有固有的优势。SiC的这些材料特性可带来更高的性能：细分领域电子漂移速度导热系数 细分领域 更高的击穿场允许器件在给定区域承受更高的电压。这使得器件设计人员能够在相同的芯片尺寸下增加用于电流流动的面积，...
碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。尽管存在许多种类和纯度的碳化硅，但半导体级质量的碳化硅仅在最近几十年才出现。碳化硅（SiC）是怎么制成的？最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度...
第三代半导体SiC碳化硅到底是干啥的？什么是碳化硅（SiC）SiC 是第三代宽禁带化合物半导体材料。第一、二、三、四代半导体示意图 在禁带宽度、热传导率、击穿场强、电子饱和漂移速度等物理特性上存在明显优势，被广泛应用于新能源领域（光伏、储能、充电桩、电动车等大功率高电压应用场景）。一二三代半导体的应用示意...