碳化硅(SiC),顾名思义,是由碳元素和硅元素组成的一种半导体材料。通常,市场上大多见到的半导体芯片等基本都以硅为主要原材料。而碳化硅(SiC)能用来做半导体材料,主要是其具有耐高温、耐高频、耐高压的特性。 前段时间,某汽车技术发布会隆重召开,负责人在台上重点讲解了技术优势,其...
一、碳化硅概述 SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。 碳化硅原材料核心优势体现在: (1)耐高压:更低的阻抗、更宽的禁带宽度,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率; (2)耐高频:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现...
碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术的详解; 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(C),其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体,就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子(硅也可以)形成最紧密堆积层,叫做A层。这时候会有两种...
近年来，SiC 已成为半导体行业的重要角色，为 MOSFET、肖特基二极管以及用于高功率、高效率应用的功率模块供电。SiC 虽然比硅 MOSFET 更昂贵（硅 MOSFET 通常受限于 900V 的击穿电压），但 SiC 可实现接近 10kV 的电压阈值。SiC 还具有极低的开关损耗，能够支持高工作频率，从而实现目前无与伦比的效率，尤其是在工...
由于碳化硅的硬度和脆性,就需要用更多的能量、更高的温度和更多的时间来结晶和加工。此外,“4H-SiC”(最广泛使用的SiC结构)的高透明度和高折射率,也使得难以检查材料是否存在可能影响最终器件良率或外延生长的表面缺陷。因此,SiC晶圆的成本是同等级硅晶圆成本的3倍。
SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使...
碳化硅（SiC）的性能和应用 碳化硅(SiC)又称金刚砂，天然的很少，工业上用的都为人工合成原料。它有两种晶型：低温形态的β-SiC，属于立方结构，高温形态的α-SiC，属于六方结构。其真密度为3.21g/cm3，分解(升华)温度为2600℃。它是一种硬质材料，其莫氏硬度为9.2。SiC的热膨胀系数不大，在25℃~1400℃范围...
SiC晶体材料的主流生长技术有物理气相输运法、高温溶液法和高温化学气相沉积法。 SiC材料这几年关注的人越来越多,逐渐从幕后走到了台前,技术的进步少不了那些研发SiC材料的科技工作者夜以继日。 在8年前,人们都还不太关注SiC材料时,一家公司已经看到了这种材料的优势,并...
SIC相对于SI有哪些优势？从本质上讲，碳化硅（SiC）被认为是一种宽带隙半导体，与传统的硅半导体相比，它具有固有的优势。SiC的这些材料特性可带来更高的性能：细分领域电子漂移速度导热系数 细分领域 更高的击穿场允许器件在给定区域承受更高的电压。这使得器件设计人员能够在相同的芯片尺寸下增加用于电流流动的面积，...
在新能源汽车终端市场中,随着SiC材料价格下降,碳化硅(SiC)的需求快速增长,来自于车载充电、驱动逆变和DC-DC转换。