碳化硅(SiC),顾名思义,是由碳元素和硅元素组成的一种半导体材料。通常,市场上大多见到的半导体芯片等基本都以硅为主要原材料。而碳化硅(SiC)能用来做半导体材料,主要是其具有耐高温、耐高频、耐高压的特性。 前段时间,某汽车技术发布会隆重召开,负责人在台上重点讲解了技术优势,其...
在1900~2000 ℃的高温作用下,3C-SiC 因为本身结构的稳定性较差,会缓慢转化为如6H-SiC 的六方SiC多形体。正是因为SiC多型体生成概率与温度之间具有强相关性,和3C-SiC自身的不稳定性,所以 3C-SiC 的生长速率难以提高,制备难度大。而六方晶系的4H-SiC、6H-SiC 是最为常见的且较为容易制备,并且由于其本身的特...
在现代电子技术迅速发展的背景下,硅碳化物(Silicon Carbide,简称SiC)芯片作为一种新兴的半导体材料,逐渐受到广泛关注。SiC芯片以其独特的物理和化学特性,正在推动着电力电子、汽车、航空航天等多个领域的技术进步。 SiC的基本特性 SiC是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度约为3.3电子伏特(eV),远高于传统硅(Silicon,Si)材...
碳化硅 (SiC) 功率 IC（集成电路）是使用 SiC 材料作为制造基础的半导体器件。 这些功率 IC 将 SiC 技术的优势与传统集成电路的集成能力相结合，实现高效、紧凑的电力电子解决方案。与传统硅基电源 IC 相比，SiC 电源 IC 具有多种优势：1.更高的功率密度：与硅相比，SiC具有更高的击穿电压和导热率，可实现更高...
碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。在半导体业内从材料端分为：第一代元素半导体材料，如硅（Si）和锗(Ge)；第二代化合物半导体材料：如...
过去几年,碳化硅 (SiC) 已成为一种颇具吸引力的半导体基础材料,因为它具有更佳的性能,尤其是在需要高功率的应用中。尽管现在各种工业设备都采用了 SiC,但大部分新兴需求将来自电动汽车 (EV) 动力系统中的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 应用。
在全球汽车电动化的浪潮下,汽车半导体领域的功率电子器件作为汽车电动化的核心部件,成为了车企和电机控制器Tire 1企业关注的热点。车用功率模块已从硅基IGBT为主的时代,开始逐步进入以碳化硅MOSFET为核心的发展…
碳化硅（SiC）的性能和应用 碳化硅(SiC)又称金刚砂，天然的很少，工业上用的都为人工合成原料。它有两种晶型：低温形态的β-SiC，属于立方结构，高温形态的α-SiC，属于六方结构。其真密度为3.21g/cm3，分解(升华)温度为2600℃。它是一种硬质材料，其莫氏硬度为9.2。SiC的热膨胀系数不大，在25℃~1400℃范围...
碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。尽管存在许多种类和纯度的碳化硅，但半导体级质量的碳化硅仅在最近几十年才出现。碳化硅（SiC）是怎么制成的？最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度...
碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战:传统封装杂散电感参数较大,难以…