SiC具有稳定的热力学性质。在常压条件下,SiC会在较高温度下直接分解为Si与C的蒸气,而不会发生熔化。 (3)化学性质:SiC具有稳定的化学性质,耐腐蚀性能良好,室温条件下不与任何已知的酸发生反应。SiC长时间置于空气中会缓慢的形成一层致密SiO2薄层,阻止进一步的氧化反应。 (4)电学...
sic 美[sɪk] 英[sɪk] abbr.(=specific inductive capacity)电容率 adv.〈外〉原文如此 adj.〈英〉同“such” 网络碳化硅(silicon carbide);碳化矽;纳米碳化硅 过去分词:sicced现在分词:siccing第三人称单数:sics 权威英汉双解 英汉 英英 网络释义 ...
先说说SiC芯片到底有多重要。简单来说，这就是第三代半导体的核心材料，能让新能源汽车续航提升10%，光伏逆变器效率提高3%。2024年全球市场规模已经突破50亿美元，年增速保持在30%以上。格力这次突破的SBD和MOSFET芯片，正是SiC领域的两大核心产品。不过要注意，格力这个工艺平台目前还处在内部使用阶段。我在希财课堂...
SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来 历经多年的研发积累,意法半导体于2004年推出了第一款碳化硅二极管。SiC MOSFET问世于2009年,并于2014年开始量产。如今,意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。意法半导体积极进行产能扩张,并开发出可靠、稳健的SiC供应链,以满足日益增长的需求,并通过长期...
碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。尽管存在许多种类和纯度的碳化硅，但半导体级质量的碳化硅仅在最近几十年才出现。碳化硅（SiC）是怎么制成的？最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度...
CoolSiC™产品 出色的可靠性、多样性和系统优势。来自英飞凌的碳化硅技术! 作为在碳化硅(SiC)技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商,我们能很好地满足对更智能、更高效发电、输电和用电的需求。我们的专家了解如何降低系统复杂性,从而降低中大功率系统的成本和规模。
半导体碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物,属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用,甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻,这是高压功率器件的关键...
格力电器：已建立SiC SBD和MOS芯片的工艺平台 部分产品已在公司内部批量使用 格力电器6月4日在互动平台表示，公司已经建立SiC SBD和MOS芯片的工艺平台，其中部分产品已在公司内部批量使用，同时作为芯片制造工厂，已为多家芯片设计公司提供晶圆流片制造服务。本文源自：金融界 ...
碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：第一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化镓） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率...
全球首款采用最小和最紧凑封装的高性能1200 V CIPOS™Maxi SiC IPM 基于CoolSiC™MOSFET的CIPOS™Maxi IPM IM828系列是全球首款1200 V转移模塑碳化硅(SiC)智能功率模块(IPM),它集成了经过优化的6通道1200V SOI栅极驱动器和6个CoolSiC™MOSFET。IM828-XCC是1200 V IPM中封装最小、最紧凑的产品,它将超过...