碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体是目前主要的功率器件类型之一,其中,沟槽结构MOSFET(U-MOSFET)相对于传统的平面结构MOSFET有更低的导通损耗、更好的开关性能、可提高晶圆密度并可避免寄生JFET效应的产生,近年来备受关注。 一、沟槽型碳化硅(Sic)MOSFET简介 大家都知道:SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面...
图1:平面SiC MOSFET的结构 沟槽SiC MOSFET的结构,如图2所示。这种结构将栅极埋入基体中,形成垂直的沟道,由于要开沟槽,工艺变得复杂,单元的一致性、雪崩能量比平面结构差。但是,由于这种结构可以增加单元密度,没有JFET效应,沟道晶面实现最佳的沟道迁移率,导通电阻比平面结构要明显的降低;同时,寄生电容更小,开关速度快,...
好的，CoolSiC™ MOSFET就先介绍到这里了。CoolSiC™ MOSFET不是单纯的沟槽型MOSFET，它在独特的晶面上形成沟道，并且有非对称的深P阱结构，这使得CoolSiC™ MOSFET具有较低的导通电阻，与Si器件类似的可靠性，以及良好的体二极管特性。再来概括一下全文内容：为什么需要沟槽型SiC MOSFET？我需要SiC MOSFET具有比...
国际SiC厂商们正在通过沟槽栅来更大的发挥SiC的潜力，放眼望去，有的厂商挖一个坑，有的挖两个坑，还有的是斜着挖，各种技术结构层出不穷，百花齐放，也颇有看点。平面栅MOSFET、罗姆和英飞凌的SiC MOSFET沟槽设计示意图 （图源：TechInsights）SiC MOSFET：是平面栅还是沟槽栅？在谈SiC MOSFET之前，让我们先来回顾...
碳化硅MOSFET芯片结温可达300度,可靠性,稳定性大大高于硅基MOSFET, 综上所述:使用碳化硅MOSFET可以让电源实现高效率,小体积,在一些高温,高压环境,在一定优势。 四.碳化硅MOSFET的综合特性 01 SiC器件的结构和特征 SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低,不需要进行电导率调制就能够以高频器件结构的MOSFET实现高耐压和低阻抗。
开关单元是SiC MOSFET中一个非常重要的部分。我们可以把MOSFET（硅和碳化硅）根据它们的栅极结构分成两类：平面结构和沟槽结构。它们的示意图如图三所示。如果从结构上来说硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。比如SiC大量使用了干...
当前量产主流SiCMOSFET芯片元胞结构有两大类,是按照栅极沟道的形状来区分的,平面型和沟槽型。 如上图,左边是一颗典型的平面SiC MOSFET芯片(宏观图)其中G区是栅极焊盘(gate pad),也就是引出栅极引线的地方,起控制作用。 AA是有源区(active area),其中AA的正面是源级区(source),键合源级引线过大电流; ...
当前量产主流SiCMOSFET芯片元胞结构有两大类,是按照栅极沟道的形状来区分的,平面型和沟槽型。 如上图,左边是一颗典型的平面SiC MOSFET芯片(宏观图)其中G区是栅极焊盘(gate pad),也就是引出栅极引线的地方,起控制作用。 AA是有源区(active area),其中AA的正面是源级区(source),键合源级引线过大电流; ...
目前,市场上这两种结构应用比较典型的是罗姆和英飞凌科采用沟槽结构SiC MOSFET,沟槽型没有结型场效应晶体管(JFET)区,具有更高的沟道密度,同时沟道所在SiC晶面具有较高的沟道迁移率,因此能够实现更低的比导通电阻。而Cree和意法半导体两家公司采用平面结构SiC MOSFET,通过优化器件的结构设计,实现了性能和可靠性俱佳的产...