碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体是目前主要的功率器件类型之一,其中,沟槽结构MOSFET(U-MOSFET)相对于传统的平面结构MOSFET有更低的导通损耗、更好的开关性能、可提高晶圆密度并可避免寄生JFET效应的产生,近年来备受关注。 一、沟槽型碳化硅(Sic)MOSFET简介 大家都知道:SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面...
导通电阻低,芯片面积小阈值电压高,米勒电容小,不易发生寄生导通。非对称的深P阱结构缓解沟槽拐角处电场,另外形成增强型的体二极管结构,优化了二极管特性。与Si IGBT相当的栅极氧化层厚度,寿命及可靠性与Si器件相当 总结我们可以看出,SiC MOSFET使用沟槽栅能大大提升器件参数、可靠性及寿命。采购英飞凌MOSFET、索要...
因此,本来应该处于OFF状态的HS因VGS的提升而开始了导通工作。这种现象称为“误启动”。当HS发生误启动时,就会与LS的导通工作重叠,致使HS和LS的MOSFET同时导通,从而引发直通电流。 ICGD2会持续流动到LS的导通工作结束,并被积蓄在LTRACE中,但会在VSW变化结束的时间点消失,LTRACE产生电动势。这就是事件(III)。受RG_E...
如图三A中的结构为了尽可能的减小导通电阻,需要调整开关单元的间距,pitch值和Wg也就是栅极的宽度有一定的关系,pitch值变小,Wg也相应变小,这个对于栅极的可靠性是有一定好处的,在SiC MOSFET里,栅极氧化层(Gate Oxide)非常的薄,小于100纳米,因此在SiC的生产工艺中使用了干式蚀刻的方法来控制加工的精度。根据...
MOSFET导通电阻由一串电阻构成,如下: 对于SiC MOSFET而言,沟道电阻RCH占比较大,公式如下: 其中LCH为沟道长度,Z为沟道宽度,μni为反型层电子迁移率,Cox为栅氧特征电容,VG为栅压,VTH为阈值电压。 在研究中经常用到比导通电阻(specific on-resistance,RON,SP),为导通电阻与面积的乘积;其公式如下: ...
功率MOSFET结构及原理 功率mosfet结构如下图所示 导通分析 其中,栅极为紫色区域,源极为上方深红色区域,漏极为最下方。P+或者N+表示重掺杂的Si,N-表示轻掺杂的Si。重掺杂的部分由于自由载流子多,所以导电性能强,轻掺杂则导电性能弱,关于掺杂可以参考Doping(semiconductors)。
在前几期的SiC科普小课堂中,基本半导体技术营销总监魏炜老师为大家科普了MOSFET的概念、分类、沟道类型、反型现象以及导电类型等知识。 今天,魏老师将带来“MOSFET科普第四讲”,着重介绍平面栅与沟槽栅这两种结构的垂直导电型MOSFET,以及二者RDS(on)电阻的构成与区别。
SiCMOSFET导通过程分析-电测与仪表 大功率SiC MOSFET驱动电路设计彭咏龙,李荣荣,李亚斌(华北电力大学 电气与电子工程学院,河北 保定071003)摘要:在实际工程应用的基础上,针对50kW/1MHz的高频感应加热大功率SiC MOSFET电路要求及SiC MOSFET开关特性进行开发研究。通过对SiC MOSFET的开通过程特性进行详细研究,得出使其可靠...
一、MOSFET的基本结构 MOSFET主要由源极、漏极、栅极和绝缘层构成。当栅极施加一定电压时,形成的电场会控制源极和漏极之间的电流,使得MOSFET的导通状态发生改变。在导通状态下,MOSFET的导通电阻会影响其性能表现。 二、MOSFET导通电阻的影响因素 MOSFET导通电阻与沟道电阻、接触电阻、线际电阻和接触电容等因素有关。其中...