其基本原理如下:当PWM信号为高电平时,由于D触发器复位清零端为低电平,此时D为低电平,Enable为高电平,与门M3输出与PWM信号一致,驱动芯片输出正向偏置电压,SiC MOSFET开通;由于SiC MOSFET导通压降很小,D1正向偏置,R4上的电压被钳位到一个较低的值(小于Uref) 。 当发生短路故障时,SiC MOSFET端电压迅速升高,D1 阴...
而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件的小型化。另外,SiC MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动,从而也可以实现被动器件的小型化。与600V～1200V的Si MOSFET相比,SiC MOSFET的优势在于芯片面积小(可以实现小型封装),而且体二极管的恢复损耗非常小。 2...
SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比,由于漂移层电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。 导通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V,而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动,...
SiC MOSFET没有这种尾电流,因此漏极电压过冲和瞬时振荡可能较高并造成问题。要减少这些寄生效应,需要特别注意电路布局问题,尽量缩短导线长度,并将驱动器放置在尽可能靠近其功率器件的地方。即使几厘米长也可能很重要,因为当SiC FET以较高开关速度工作时,这些杂散电感和电容的影响更为显著。减小瞬时振荡还有一个好处,...
作为新兴的高性能材料,碳化硅(SiC)因其优越的物理、电学特性,被广泛应用于现代电力电子系统中的MOSFET模块。本篇研究主要围绕双面散热SiC MOSFET模块的电、热特性以及其模块封装技术进行探讨。 二、SiC MOSFET模块电特性分析 1.工作原理与基本构成 SiC MOSFET模块以其独特的结构和工作原理,在电力电子系统中发挥着重要...
SiC MOSFET 特性 1 跨导 开关电源中使用的硅 MOSFET 在两种工作模式或区域之间尽可能快地开关。当栅极-源极电压 VGS小于栅阈值电压VTH时,晶体管处于高阻状态,此时被称为截止区域。在截止期间,漏极-源极电阻 RDS是高阻状态,漏极电流 ID= 0 A。饱和区发生在 MOSFET 完全增强时,即 VGS>> VTH,此时 RDS(on)为...
HSF是指在负载已经短路的情况下,开关管开启时引发的故障;FUL是指在开关管完全导通时,负载突然短路而引发的故障[5]。由于硬开关故障下,SiC MOSFET功率损耗更大,发热更严重,对器件的考验更为严峻,所以在此对SiC MOSFET的硬开关故障进行原理分析。在硬开关短路模式下SiC MOSFET短路特性测试原理图如图2所示。
而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,正在引领着未来能源转型的浪潮。SiC MOSFET的一个重要组成部分就是其栅氧界面。这个界面是指栅极金属和硅氧化物之间的接触区域。而栅氧界面的缺陷一直是广为关注的问题,本文将带大家了解栅氧界面的缺陷。 一、SiC/SiO2界面电荷分布 了解SiC/SiO2界面电荷的存在形式、分布情况以及...