雖然SiC目前主要用於車輛變頻器,預計往後的應用領域會涉及於工業設備的各種光伏發電系統(PPS)和電源管理系統(PMS)。 可靠性問題是目前SiC元件最大課題,其涉及位於功率MOSFET的電源與列車之間的PN結二極體[4]。PN結二極體的外施電壓使其帶電,造成導通電阻變化,進而有損元件的可靠性。東芝新推出的SBD內嵌式MOSFET元件...
第2世代から引き続き、SiC MOSFETのドレイン・ソース間に存在するPNダイオードと並列にショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵する構造を採用し、デバイスの信頼性課題を解決、さらに最新[注1]デバイス構造を採用することで、当社第2世代の製品と比較して単位面積当たりのオン抵抗RonA、スイ...
SiC (シリコンカーバイド) は、従来のSi (シリコン) よりも高耐圧、低損失化が可能な次世代のパワー半導体材料として注目されていますが、信頼性の向上が課題となっています。 そこで、当社の第3世代SiC MOSFETは、以下の特長を有しています。 ショットキーバリア...
さまざまな課題解決にお応えします。■表面処理用電源■超音波... タグ付けカテゴリ SiC MOSFET ダイオードモジュール サイリスタモジュール 直流電源 +5 2023年7月27日 ダウンロード カタログを選択 株式会社三社電機製作所 SiC MOSFET(TO-247-4L) 製品個別カタログ カタログ...
設計者が技術的な課題を克服し、製品を最適化するソリューションを提供 意思決定者がSiCパワー・デバイスの利点を理解できるように具体的なデータを提示 意思決定プロセスを強化し、最適な結果を得るための詳細情報と専門知識を提供 STの2世代目SiCパワー・デバイスと、対応する広範な電圧および...
2020年10月20日、フィーアゼンおよびミュンヘン(ドイツ) 世界中でハイブリッド車や電気自動車の販売が加速しています。これは二酸化炭素ガス排出量を削減するという目標に関しては好ましいニュースですが、モーター、制御装置、バッテリーなどの電子部品の性能の試験には、さまざまな課題が生...
一般的なSiC MOSFETは、逆導通動作[注3]時にボディーダイオードがバイポーラー通電するとオン抵抗が増大していく信頼性の課題がありました。当社のSiC MOSFETは、MOSFETチップにショットキーバリアダイオード (SBD) を内蔵することで、ボディーダイオードが動作しないように対策した...
第3世代SiC MOSFETは、650V, 1200V耐圧の製品をラインアップ。第2世代から引き続き、SiC MOSFETのドレイン・ソース間に存在するPNダイオードと並列にショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵する構造を採用し、デバイスの信頼性課題を解決、さらに最新[注1]デバ...