SiC MOSFETとは、従来のSi基板ではなく、化合物半導体であるSiC (シリコンカーバイド) 基板を使用したMOSFETのことです。 電界効果トランジスタの1種であるMOSFETの半導体基板の材料としています。MOSFETは、オンとオフのスイッチングや、増幅器などの用途に使用されます。材料として用いる半導体基板...
高 電気伝導度,低熱伝導度の半導体が用 い られ るが,低 温域(~500K)ではBi2Te3系,中 温域(500~ 1000K)ではSi-Ge系 やFeSi2な どが優れた特性を有 し,いく つかの材料ではほぼ実用化が可能なレベルに達 しているもの もあ... T Goto,E Ito,M Mukaida,... - 《Journal of the Jap...
很庆幸在日本半导体行业内非常畅销的《半導体SiC技術と応用第2版》在机械工业出版社的支持下得以引进、翻译并出版了中译本。原书在日本碳化硅学术界元老级人物松波弘之和碳化硅界代表性人物大谷昇、木本恒畅、中村孝等四人的牵头下,汇集了当今日本各大半导体研究机构和企业相关的碳化硅技术专家,以实际研究经验编写了这本...
より広いバンドギャップの炭化ケイ素(SiC)半導体製品の幅広いポートフォリオ - 省エネ、小型化、信頼性の向上。
新材料のSiC(シリコンカーバイド)を使用したパワー半導体は、現在主流であるSi(シリコン)製パワー半導体と比べて、高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現し、高温環境下での動作に優れています。当社は高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適なデバイスを提供します。
wafer PVTCree PVT 6inch PlasmaassistedPhysicalDeposition PPD HOYA CVD +SwitchBackEpitaxy ) Sicrystal PVTDowCorning PVT DowCorning Bridgestone Denso EcoTron ) MetastableSolventEpitaxy AIRWATER ) VCE(VacuumChemicalEpitaxy) PVT PVTSiC c2009ROHMCo.,Ltd.AllRightsReservedConfidentialSiCc2009ROHMCo.,Ltd.AllRights...
20 2015 特集 SiC半導体ウエハの加工技術* Processing Engineering of the SiC Semiconductor Wafer 長屋正武 Masatake NAGAYA 加藤智久 Tomohisa KATO 貴堂高徳 Takanori KIDO 河田研治 Kenji KAWATA 平野真也 Shinya HIRANO SiC(Silicon Carbide)has been attracting the considerable attention that it will become...
インフィニオンのオートモーティブ事業部シニア バイス プレジデント兼ゼネラル マネージャーのネガー ソーフィー アムラシー (Negar Soufi-Amlashi) は「当社の新しいHybridPACK™ Drive G2 Fusionモジュールは、車載半導体業界におけるインフィニオンの革新的リーダーシップを明確に示す...
新材料のSiC(シリコンカーバイド)を使用したパワー半導体は、現在主流であるSi(シリコン)製パワー半導体(IGBT)と比べて、高速スイッチング性を実現し、高温環境下での動作に優れています。東芝は、鉄道車両向けコンバーター、インバーター等の電力変換装置、太陽光発
本稿では、SiCを中心にワイドバンドギャップ半導体を用いた次世代パワーデバイスの開発動向と当社での取り組みについて紹介する。 机译:SiC Power Device的研究和开发是一个草案H,在90岁的前半部分,600V-6A的SBD(肖特基势垒二极管)在2002年上半年可商购获得600V-6A的SBD(肖特基势垒二极管)。它成了...