SiCの不純物効果-II : 半導体(化合物) 佐々木,健男 - 日本物理学会春季分科会講演予稿集 被引量: 0发表: 1964年 SiC半導体表面の紫外線照射研磨加工へのTiO{sub}2粒子およびCeO{sub}2粒子の影響 6H-SiCのSi終端面に対して,機械的エネルギを伴う複雑な光化学反応にもとづく新しい研磨技術の研究を...
SiC MOSFETとは、従来のSi基板ではなく、化合物半導体であるSiC (シリコンカーバイド) 基板を使用したMOSFETのことです。 電界効果トランジスタの1種であるMOSFETの半導体基板の材料としています。MOSFETは、オンとオフのスイッチングや、増幅器などの用途に使用されます。材料として用いる半導体基板...
SiCパワー半導体のメリット SiCをベースとするパワー半導体は、従来のシリコンを上回るさまざまなメリットを提供します。より高電圧 / 高周波に対応するため、システム効率の向上やスイッチングの高速化、損失低減、および熱管理の簡略化に貢献します。これらの特性から、SiCパワー半導体は、よ...
インフィニオンのオートモーティブ事業部シニア バイス プレジデント兼ゼネラル マネージャーのネガー ソーフィー アムラシー (Negar Soufi-Amlashi) は「当社の新しいHybridPACK™ Drive G2 Fusionモジュールは、車載半導体業界におけるインフィニオンの革新的リーダーシップを明確に示す...
很庆幸在日本半导体行业内非常畅销的《半導体SiC技術と応用第2版》在机械工业出版社的支持下得以引进、翻译并出版了中译本。原书在日本碳化硅学术界元老级人物松波弘之和碳化硅界代表性人物大谷昇、木本恒畅、中村孝等四人的牵头下,汇集了当今日本各大半导体研究机构和企业相关的碳化硅技术专家,以实际研究经验编写了这本...
より広いバンドギャップの炭化ケイ素(SiC)半導体製品の幅広いポートフォリオ - 省エネ、小型化、信頼性の向上。
新材料のSiC(シリコンカーバイド)を使用したパワー半導体は、現在主流であるSi(シリコン)製パワー半導体と比べて、高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現し、高温環境下での動作に優れています。当社は高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適なデバイスを提供します。
20 2015 特集 SiC半導体ウエハの加工技術* Processing Engineering of the SiC Semiconductor Wafer 長屋正武 Masatake NAGAYA 加藤智久 Tomohisa KATO 貴堂高徳 Takanori KIDO 河田研治 Kenji KAWATA 平野真也 Shinya HIRANO SiC(Silicon Carbide)has been attracting the considerable attention that it will become...
新材料のSiC(シリコンカーバイド)を使用したパワー半導体は、現在主流であるSi(シリコン)製パワー半導体(IGBT)と比べて、高速スイッチング性を実現し、高温環境下での動作に優れています。東芝は、鉄道車両向けコンバーター、インバーター等の電力変換装置、太陽光発